產(chǎn)品詳情介紹
CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路采用標準的pHEMT工藝制造：柵極長度0.25μm，通過基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻。
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