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所述CHA3666-FAB是兩級自偏置寬頻帶單片低噪聲放大器。

該電路采用標準的pHEMT工藝制造：柵極長度0.25μm，通過基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻。

建議采用無鉛表面貼裝全封閉金屬陶瓷6x6mm2封裝。整體電源為4V / 80mA。

該電路專用于太空應用，也非常適合各種微波和毫米波應用和系統。