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CHA2092b99F是高增益寬帶三級單片低噪聲放大器。

芯片的背面是RF和DC接地。這有助于簡化組裝過程。自偏置技術(shù)在芯片上實現(xiàn)，以減輕電路偏置。

它設(shè)計用于從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用。

該電路采用pHEMT工藝制造，柵極長度為0.25μm，通過基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)制造。

它以芯片形式提供。