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所述CHA5266-FAB是在無(wú)引線表面上的三級(jí)單片砷化鎵中功率放大器安裝密封金屬陶瓷6x6mm2包。

它設(shè)計(jì)用于從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用。

該電路采用pHEMT工藝制造，柵極長(zhǎng)度為0.25μm，通過基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)制造。

它以符合RoHS的SMD封裝提供。