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ADG201AKNZ/ADG201AKPZ是一款單芯片CMOS器件，內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選的開關(guān)。它們采用增強(qiáng)型LC 2 MOS工藝設(shè)計(jì)，可提供±15 V的更高信號(hào)處理能力。這些開關(guān)還具有高開關(guān)速度和低R ON。

ADG201A開關(guān)在相應(yīng)的控制輸入上接通邏輯低電平。當(dāng)ON時(shí)，每個(gè)開關(guān)在兩個(gè)方向上導(dǎo)電性能相同，并且每個(gè)開關(guān)都具有延伸到電源的輸入信號(hào)范圍。所有開關(guān)都具有先開后合的開關(guān)動(dòng)作，可用于多路復(fù)用器應(yīng)用。設(shè)計(jì)固有的是低電荷注入，以便在切換數(shù)字輸入時(shí)實(shí)現(xiàn)最小瞬態(tài)。

優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 44 V電源最大額定值
• ±15 V模擬信號(hào)范圍
• 低R ON（60Ω）
• 低泄漏（0.5nA）
• 先斷后合 - 切換動(dòng)作
• 擴(kuò)展塑料溫度范圍（-40oC至+85oC）
• 低功耗（33 mW）
• TTL / CMOS兼容
• 優(yōu)越的第二來源
• DG201A / HI201
• 16引腳DIP / SOIC封裝

• 下載ADG201A-EP數(shù)據(jù)表（pdf）
• 軍用溫度范圍：-55°C至+ 125°C
• 受控制造基線
• 一個(gè)裝配和測(cè)試站點(diǎn)
• 一個(gè)制造地點(diǎn)
• 增強(qiáng)的產(chǎn)品變更通知
• 可根據(jù)要求提供資格數(shù)據(jù)
• V62 / 12638 DSCC圖號(hào)

結(jié)構(gòu)圖

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