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微波元器件
SemiGen是美國一家晶圓級(jí)射頻器件實(shí)力派制造商,從晶圓到封裝器件, 品類豐富,從航天級(jí)MIL-PRF 38534到軍用MIL-PRF 19500、750和883,SemiGen致力于提供卓越的質(zhì)量和可靠性。
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PIN Diodes射頻二極管SemiGen
超快速開關(guān)低容阻大功率高壓覆蓋頻率2-20GHz適用于功率開關(guān)、衰減器、移相器、雙工器等項(xiàng)目訂貨周期 2-4周
超快速開關(guān)
低容阻
大功率
高壓
覆蓋頻率2-20GHz
適用于功率開關(guān)、衰減器、移相器、雙工器等項(xiàng)目
訂貨周期 2-4周
梁式引線 PIN 二極管SemiGen
切換速度快低電容/電阻堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)訂貨周期 2-4周
切換速度快
低電容/電阻
堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)
限幅二極管SemiGen
低電容和電阻易于粘合低損耗快速開啟時(shí)間訂貨周期 2-4周
低電容和電阻
易于粘合
低損耗
快速開啟時(shí)間
階躍恢復(fù)二極管SemiGen
Tightend 電容范圍的廣泛選擇低轉(zhuǎn)換時(shí)間高效率用于波導(dǎo)、同軸和帶狀線應(yīng)用訂貨周期 2-4周
Tightend 電容范圍的廣泛選擇
低轉(zhuǎn)換時(shí)間
高效率
用于波導(dǎo)、同軸和帶狀線應(yīng)用
點(diǎn)接觸二極管SemiGen
對于匹配的 Fwd 對,在部件號(hào)后使用 suf x M。對于反向設(shè)備,請使用 suf x R。對于匹配的 Fwd 和 Rev,使用 suf x MR.訂貨周期 2-4周
對于匹配的 Fwd 對,在部件號(hào)后使用 suf x M。
對于反向設(shè)備,請使用 suf x R。
對于匹配的 Fwd 和 Rev,使用 suf x MR.
肖特基二極管SemiGen
多結(jié)芯片低 1/F 噪聲小結(jié)電容用于混頻器、檢測器、倍增器和調(diào)制器。訂貨周期 2-4周
多結(jié)芯片
低 1/F 噪聲
小結(jié)電容
用于混頻器、檢測器、倍增器和調(diào)制器。
肖特基勢壘橋四邊形SemiGen
性能穩(wěn)定單體結(jié)構(gòu)匹配的電氣性能用于高達(dá) 40 GHz 的倍頻器、調(diào)制器和雙平衡混頻器的設(shè)計(jì)。訂貨周期 2-4周
性能穩(wěn)定
單體結(jié)構(gòu)
匹配的電氣性能
用于高達(dá) 40 GHz 的倍頻器、調(diào)制器和雙平衡混頻器的設(shè)計(jì)。
肖特基勢壘四邊形SemiGen
性能穩(wěn)定單體結(jié)構(gòu)匹配的電氣性能用于倍頻器、調(diào)制器和雙平衡混頻器的設(shè)計(jì)。訂貨周期 2-4周
用于倍頻器、調(diào)制器和雙平衡混頻器的設(shè)計(jì)。
衰減器SemiGen
出色的平坦度和衰減精度卓越的功率處理能力金屬化這些離子束蝕刻薄膜衰減器是廣泛應(yīng)用的理想解決方案,包括微波無線電、軍事子系統(tǒng)、光纖、科學(xué)儀器和高達(dá) 28 GHz 的傳感器應(yīng)用。訂貨周期 2-4周
出色的平坦度和衰減精度
卓越的功率處理能力
金屬化
這些離子束蝕刻薄膜衰減器是廣泛應(yīng)用的理想解決方案,包括微波無線電、軍事子系統(tǒng)、光纖、科學(xué)儀器和高達(dá) 28 GHz 的傳感器應(yīng)用。
固定衰減器焊盤SemiGen
中高功率處理 1W 至 5W CW從 DC 到 20 GHz 的平坦響應(yīng)回波損耗 >18 dB DC 至 14 GHz回波損耗 >16 dB 15 GHz 至 20 GHz溫度穩(wěn)定 TCR <100 PPM大多數(shù)設(shè)計(jì)上的芯片尺寸 .030" X .030"訂貨周期 2-4周
中高功率處理 1W 至 5W CW
從 DC 到 20 GHz 的平坦響應(yīng)
回波損耗 >18 dB DC 至 14 GHz
回波損耗 >16 dB 15 GHz 至 20 GHz
溫度穩(wěn)定 TCR <100 PPM
大多數(shù)設(shè)計(jì)上的芯片尺寸 .030" X .030"
MIS 電容器SemiGen
非常高的 Q低溫系數(shù)低耗散因數(shù)長期穩(wěn)定性正面和背面金觸點(diǎn)薄至 3 mil 以限制電感訂貨周期 2-4周
非常高的 Q
低溫系數(shù)
低耗散因數(shù)
長期穩(wěn)定性
正面和背面金觸點(diǎn)
薄至 3 mil 以限制電感
二進(jìn)制電容器SemiGen
梁式引線電容器SemiGen
金粘合表面(頂部和底部)熱壓技術(shù)環(huán)氧樹脂技術(shù)高頻應(yīng)用的理想選擇,可以篩選到空間級(jí)資格。訂貨周期 2-4周
金粘合表面(頂部和底部)
熱壓技術(shù)
環(huán)氧樹脂技術(shù)
高頻應(yīng)用的理想選擇,可以篩選到空間級(jí)資格。
朗格耦合器SemiGen
小至 10 微米的線條和空間+/- 1 微米的公差朗格耦合器廣泛用作微波放大器、混頻器和調(diào)制器中的薄膜功率組合器和分配器。訂貨周期 2-4周
小至 10 微米的線條和空間
+/- 1 微米的公差
朗格耦合器廣泛用作微波放大器、混頻器和調(diào)制器中的薄膜功率組合器和分配器。
二極管底座SemiGen
底座頂部表面邊緣上的金屬焊盤有助于滿足二極管邊緣安裝要求,邊緣間隙幾何形狀低至 5 微米。在 Ti/Pt/Au 邊緣焊盤上的 Au/Sn 選擇性沉積消除了對小型焊料預(yù)制件的處理需求,并避免了關(guān)鍵基板邊緣區(qū)域潛在焊料卷起的風(fēng)險(xiǎn)。訂貨周期 2-4周
底座頂部表面邊緣上的金屬焊盤有助于滿足二極管邊緣安裝要求,邊緣間隙幾何形狀低至 5 微米。
在 Ti/Pt/Au 邊緣焊盤上的 Au/Sn 選擇性沉積消除了對小型焊料預(yù)制件的處理需求,并避免了關(guān)鍵基板邊緣區(qū)域潛在焊料卷起的風(fēng)險(xiǎn)。
濾波器SemiGen
特征尺寸小至 10 微米電路之間的高一致性訂貨周期 2-4周
特征尺寸小至 10 微米
電路之間的高一致性
電感線圈SemiGen
無需“質(zhì)押”線圈線圈上的鈍化保護(hù)涂層尺寸均勻度平面實(shí)體結(jié)構(gòu)線圈符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)訂貨周期 2-4周
無需“質(zhì)押”線圈
線圈上的鈍化保護(hù)涂層
尺寸均勻度
平面實(shí)體結(jié)構(gòu)線圈
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
電阻器SemiGen
芯片尺寸小于 0.020" x 0.020" 的單值或網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用薄層電阻率從 25 到 200 歐姆每平方長期穩(wěn)定性在 125°C 的空氣中 1000 小時(shí)內(nèi)的值變化小于 0.5%訂貨周期 2-4周
芯片尺寸小于 0.020" x 0.020" 的單值或網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用
薄層電阻率從 25 到 200 歐姆每平方
長期穩(wěn)定性在 125°C 的空氣中 1000 小時(shí)內(nèi)的值變化小于 0.5%
隔離電容器SemiGen
串聯(lián)諧振:(C < 1pf) > 30 GHz (C = 1 到 2 pf) > 22 GHz擊穿電壓:> 100訂貨周期 2-4周
串聯(lián)諧振:(C < 1pf) > 30 GHz (C = 1 到 2 pf) > 22 GHz
擊穿電壓:> 100
輸電線路SemiGen
開箱即可使用所有列表數(shù)據(jù)包括 > 3 個(gè) AU 趨膚深度——保證損耗和阻抗規(guī)格適用于 Au/Sn 和 Au/Ge 附著基材拋光 99.6% 氧化鋁微帶傳輸線的厚度有 5 mil、10 mil、15 mil、20 mil 和 25 mil,公差為 +/- 1 mil。訂貨周期 2-4周
開箱即可使用
所有列表數(shù)據(jù)包括 > 3 個(gè) AU 趨膚深度——保證損耗和阻抗規(guī)格
適用于 Au/Sn 和 Au/Ge 附著
基材拋光 99.6% 氧化鋁
微帶傳輸線的厚度有 5 mil、10 mil、15 mil、20 mil 和 25 mil,公差為 +/- 1 mil。
薄膜電路SemiGen
氧化鋁 - 燒成和拋光,99.5% 或更高氮化鋁石英/熔融石英藍(lán)寶石鐵氧體/石榴石鈦酸鹽(Hi-K 材料)玻璃訂貨周期 2-4周
氧化鋁 - 燒成和拋光,99.5% 或更高
氮化鋁
石英/熔融石英
藍(lán)寶石
鐵氧體/石榴石
鈦酸鹽(Hi-K 材料)
玻璃