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CGHV1J006D高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管現貨

發布時間：2019-02-22 14:16:56 瀏覽：1723

6W，18.0GHz，GaN HEMT管芯

SKU：CGHV1J006D

Wolfspeed的CGHV1J006D是一種采用0.25μm柵極長度制造工藝的碳化硅襯底上的高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN-on-SiC產品具有出色的高頻，高效特性。它適用于工作頻率范圍為10 MHz至18 GHz，40 V且具有高擊穿電壓的各種應用。

特征

高達18 GHz的操作

品牌	型號	貨期	庫存
CREE	CGHV1J006D	1周	200

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峰值輸出功率		6W
應用		通用寬帶，40 V
典型的功率附加效率PAE		60％@ 10 GHz
典型功率（PSAT）		6瓦
工作電壓		40 V
頻率		DC - 18.0 GHz
包裝類型		死
小信號增益		17 dB @ 10 GHz

示意圖

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