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CGHV1J006D高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管 現貨

發布時間：2019-02-22 14:16:56     瀏覽：1860

6W，18.0GHz，GaN HEMT管芯

SKU：CGHV1J006D


Wolfspeed的CGHV1J006D是一種采用0.25μm柵極長度制造工藝的碳化硅襯底上的高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN-on-SiC產品具有出色的高頻，高效特性。它適用于工作頻率范圍為10 MHz至18 GHz，40 V且具有高擊穿電壓的各種應用。

特征

  • 高達18 GHz的操作

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV1J006D 1周 200
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峰值輸出功率 6W
應用 通用寬帶，40 V
典型的功率附加效率PAE 60％@ 10 GHz
典型功率（PSAT） 6瓦
工作電壓 40 V
頻率 DC - 18.0 GHz
包裝類型 死
小信號增益 17 dB @ 10 GHz

示意圖



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