X3C09P2-03S低剖面,高性能的3dB混合耦合器
發布時間:2020-04-16 10:50:02 瀏覽:1390
X3C09P2-03S是一個低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE波段應用而設計。X3C09P2-03S專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊密振幅和相位平衡的應用而設計。它可用于高達187瓦的大功率應用。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。
X3C09P2-03S特征:
?800-1000兆赫
?AMPS、GSM、WCDMA和LTE
?高功率
?非常低的損耗
?緊密振幅平衡
?高隔離度
?生產友好型
?磁帶和卷盤
?無鉛
X3C09P2-03S重要參數
頻率(GHZ):0.8 - 1.0
功率(W):187
回波損耗(dB):24.9
插入損耗(dB):0.14
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