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AMCOM的GaN MMIC 放大器具有哪些優(yōu)勢？

發(fā)布時間：2020-07-22 14:22:50 瀏覽：1819

AMCOM是美國半導(dǎo)體公司中最具有全世界技術(shù)領(lǐng)先的微波設(shè)計公司，AMCOM的GaN寬禁帶半導(dǎo)體具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等好處，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣前提的新要求。從工程角度來看，GaN具有的4個優(yōu)勢：

· 寬禁帶半導(dǎo)體具有杰出的dV/dt切換性能，這意味著開關(guān)消耗很小。這使得高開關(guān)頻率(GaN為1 MHz以上)成為可能，后果有助于減小磁體體積，同時提升功率密度。

· 電感值、尺寸和分量能削減70%以上，同時還能削減電容數(shù)量，使很終轉(zhuǎn)換器的尺寸和分量僅相當于古代轉(zhuǎn)換器的五分之一。

· 無源元件和機械部件(包含散熱器)的用量可節(jié)減大概40%，增值片面則表現(xiàn)在控制電子IC上。

· 寬禁帶半導(dǎo)體對高結(jié)溫具有超高的耐受性，這種耐受性有助于提升功率密度，削減散熱問題。

伴隨著AMCOM的GaN生產(chǎn)工藝在不斷進步，在GaN-on-Si外表片上生產(chǎn)的GaN器件具有相當?shù)偷睦媳荆仍?/span>SiC晶片上生產(chǎn)任何產(chǎn)品都更為容易。由于這些緣故，GaN晶體管可能會成為2020年代后期逆變器中的首選，優(yōu)于較昂貴的SiC MOSFET。

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模型	最低頻率（GHz）	最大頻率（GHz）	增益（dB）	輸出功率（dBm）	Eff（％）	包
AM003042WN-XX-R	0.05	3	23	42	33	Flange / SMT
AM003042WN-00-R	0.05	3	24	42	35	Bare Die
AM206041WN-SN-R	1.8	6.5	30	41	23	Flange
AM206041WN-00-R	1.8	6.5	32	42	27	Bare Die
AM408041WN-SN-R	3.75	8.25	31	41	23	Flange
AM408041WN-00-R	3.75	8.25	33	42	27	Bare Die
AM00010037WN-SN-R	DC	10	13	37	23	Flange
AM00010037WN-00-R	DC	10	13	37	25	Bare Die
AM08012041WN-SN-R	7.5	12	21	41	20	Flange
AM08012041WN-00-R	7.5	12	22	42	20	Bare Die
AM07512041WN-SN-R	7.75	12.25	27	41	22	Flange
AM07512041WN-00-R	7.75	12.25	28	42	27	Bare Die

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