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AMCOM離散功率GaN HEMT射頻晶體管

發(fā)布時間：2020-08-27 16:10:31 瀏覽：2043

AMCOM是全球半導體微波設計領先企業(yè)，是機器設備/MMIC封裝，功能模塊組裝和RF/DC檢測領域的專家，AMCOM的產(chǎn)品涵蓋功率FET，MMIC功率放大器及其帶有rf射頻和直流電連接器的高功率放大器功能模塊。AMCOM離散功率GaNHEMT射頻晶體管具備優(yōu)秀的線形和寬帶優(yōu)勢，而且能充分發(fā)揮更好的高功率高密度和輸出效率。

GaN是一種非常穩(wěn)定的化合物，具有很強的原子鍵、高的熱導率、最高的電離度和良好的化學穩(wěn)定性，這使得GaN器件比Si和GaAs具有更強的抗輻射能力。同時，GaN是一種高熔點、高導熱性的材料。GaN功率器件通常以SiC為襯底，具有較好的熱導率，因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫和高溫工作能力。

GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)已成為5G大型基站功率放大器的主流候選技術，由于其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為5 G基站首選半導體技術。

深圳市立維創(chuàng)展科技是AMCOM經(jīng)銷商，專業(yè)提供AMCOM產(chǎn)品系列包括：射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合放大器模塊、寬帶放大器、高功率放大器模塊、帶RF和DC連接器的高功率放大器模塊和低噪聲放大器，功率放大器，開關，衰減器，移相器以及上/下邊變頻器的定制等，產(chǎn)品原裝進口，質(zhì)量保證，歡迎咨詢。

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離散功率GaN HEMT

模型	頻率（GHz）	最大頻率（GHz）	增益（dB）	P1分貝（dBm）	峰值（dBm）	偏差（V）
AM050WN-CU-R	直流電	6	16.5	41.7	43	-14
AM100WN-CU-R	直流電	6	14	44.5	46	-14
AM025WN-BI-R	直流電	8	16	38.9	40	-14
AM012WN-BI-R	直流電	10	17	36.1	37	-14
AM005WN-BI-R	直流電	12	15	32	33.5	-14
AM012WN-00-R	直流電	15	22	36.1	37.7	-14
AM025WN-00-R	直流電	15	21	38.9	40.5	-14
AM050WN-00-R	直流電	15	20	41.7	43.3	-14
AM100WN-00-R	直流電	15	19	44.5	46.1	-14
AM005WN-00-R	直流電	18	23	32	33.4	-14

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