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Teledyne防務電子GaN寬帶放大器

發布時間：2022-06-15 16:38:22 瀏覽：1430

氮化鎵(GaN)功率半導體技術應用為增強射頻/微波功率放大器性能作出了巨大貢獻。利用減少元器件的附生器件，選用更短的柵極尺寸和更高的電壓頻率，GaN晶體管滿足了更高的輸出功率、更寬的帶寬和更快的直流電源射頻效率。

隨著以GaN材質為代表的第三代半導體器件的誕生，GaN HEMT因為其寬頻帶隙而備受關注，高傳熱性、高擊穿場強和高峰值電子轉移速率。基于GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。

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Teledyne防務電子.png

Model	Frequency Range MHz	Gain dB Typ.	Noise Figure dB Typ.	P1dB dBm Typ.	P4dB dBm Typ.	P4dB Watts Typ.	IP3/IP2/Pout dBm Typ.	Preamp D.C. Volts Nom	Preamp D.C. mA Max.	D.C. Volt Nom	Amps Q/@P3dB Typ.
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS
AVP598	50-700	16.5	2.5	38	43.2	20.9	50/64/40	N/A	N/A	28	0.85/1.5
AVP514	50-700	40	3.7*	38	43.2	20.9	50/62/40	12	230	28	1.2/2.3
AVP2515	600-2600	17	4.5	35	41	12.6	48/50/37	N/A	N/A	28	0.85/1.50
AVP2524	600-2600	41	4.5	35	41	12.6	47/48/37	12	185	28	1.25/1.9
AVP2030	500-2400	16	3.7	39	44	25.1	53/65/40	N/A	N/A	28	0.85/2.6
AVP2034	500-2400	40	3.7	39	44	25.1	52/62/40	12	200	28	1.2/3.2
AVP2050	900-2000	14	4	42	48	63.1	55/68/43	N/A	N/A	28	1.6/5.50
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS
A2CP2595	20-500	24	3	34	36.2	4.2	45/58/27	12	185	28	0.39/0.47
A2CP2595	500-2500	24	3	32.5	34	2.5	40/56/27	12	185	28	0.39/0.47
A2CP2596	20-500	24	4.8	36.5	37.5	5.6	8/52/23	15	335	28	0.53/0.70
A2CP2596	500-2500	24	4.3	34.5	37.5	5.6	42/48/23	15	335	28	0.53/0.70

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