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CREE射頻功率 GaN HEMT

發布時間:2022-07-11 17:01:02     瀏覽:937

CREE射頻功率CGH40006是前所未有的;氮化鎵(GaN)高電子器件遷移率晶體管(HEMT)CREE射頻功率CGH40006;從28V電壓軌運轉;提供通用型;主要用于各種各樣射頻和微波應用的寬帶網絡解決方案。CREE射頻功率GaNHEMT提供高效率;高增益和寬帶網絡寬功能;使CGH40006作為線性和壓縮功率放大電路的理想化選擇。CREE射頻功率GaNHEMT選用焊接藥Pill封裝形式和3-mmx3-mm;表面貼裝;雙扁平無導線封裝形式。

特征

高達6GHz的操控

2.0GHz13dB小信號增益值

6.0GHz11dB小信號增益值

PIN=32dBm時典型值為8W

28伏操控

應用

2路個體調頻收音機

寬帶放大器

蜂窩基礎設施建設

測試設備

ClassA;AB;主要用于OFDM的功率放大器;W-CDMAEDGE;CDMA波型

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,CREE產品包含:發光二極管芯片,照明發光二極管,背光發光二極管,功率開關器件,無線電頻率設備和無線電設備的發光二極管。CREE憑借優勢的供應渠道,長期備有庫存,以滿足中國市場的需求,歡迎咨詢。

詳情了解CREE射頻微波請點擊:http://www.nfda.cn/brand/35.html

 CREE.png

產品

最小

頻率

最大

頻率

峰值輸出功率

獲得

效率

工作電壓

形式

包裝類型

CGH40006S-AMP1

DC

6GHz

6W

>11 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGH40006P-AMP

2GHz

6GHz

6W

>11 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Pill

CGH40006S

DC

6GHz

6W

>11 dB

65%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Plastic

CGH40006P

DC

6GHz

6W

>11 dB

65%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill


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