CREE射頻功率 GaN HEMT
發布時間:2022-07-11 17:01:02 瀏覽:937
CREE射頻功率CGH40006是前所未有的;氮化鎵(GaN)高電子器件遷移率晶體管(HEMT)。CREE射頻功率CGH40006;從28V電壓軌運轉;提供通用型;主要用于各種各樣射頻和微波應用的寬帶網絡解決方案。CREE射頻功率GaNHEMT提供高效率;高增益和寬帶網絡寬功能;使CGH40006作為線性和壓縮功率放大電路的理想化選擇。CREE射頻功率GaNHEMT選用焊接藥Pill封裝形式和3-mmx3-mm;表面貼裝;雙扁平無導線封裝形式。
特征
高達6GHz的操控;
2.0GHz時13dB小信號增益值;
6.0GHz時11dB小信號增益值;
PIN=32dBm時典型值為8W;
28伏操控;
應用
2路個體調頻收音機;
寬帶放大器;
蜂窩基礎設施建設;
測試設備;
ClassA;AB;主要用于OFDM的功率放大器;W-CDMA;EDGE;CDMA波型;
深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,CREE產品包含:發光二極管芯片,照明發光二極管,背光發光二極管,功率開關器件,無線電頻率設備和無線電設備的發光二極管。CREE憑借優勢的供應渠道,長期備有庫存,以滿足中國市場的需求,歡迎咨詢。
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產品 | 最小 頻率 | 最大 頻率 | 峰值輸出功率 | 獲得 | 效率 | 工作電壓 | 形式 | 包裝類型 |
CGH40006S-AMP1 | DC | 6GHz | 6W | >11 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGH40006P-AMP | 2GHz | 6GHz | 6W | >11 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Pill |
CGH40006S | DC | 6GHz | 6W | >11 dB | 65% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Plastic |
CGH40006P | DC | 6GHz | 6W | >11 dB | 65% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
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