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C波段CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT芯片CREE

發布時間：2022-07-20 16:36:43 瀏覽：920

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。

特征

17dB典型。10GHz時的小信號增益值

60%典型值。10GHz時的PAE

6W典型Psat

40伏操控

高至18GHz的操控

應用

衛星通訊

PTP通訊連接

海域雷達

游艇雷達

海港船舶交通服務

寬帶放大器

高效率放大器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

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Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CGHV1J006D-GP4	GaN on SiC	DC	18 GHz	6 W	17 dB	60%	40 V	Discrete Bare Die	Die

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