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C波段10W 射頻功率 GaN HEMT CG2H40010 CREE

發布時間：2022-07-22 16:35:48 瀏覽：951

CREE的CG2H40010是前所未有的；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CG2H40010；從28伏電流電壓軌運轉；提供通用型的；C波段10W射頻功率GaN HEMT CG2H40010主要用于多種射頻和微波應用的光纖寬帶解決方案。GaNH EMT提供高效率；高增益和光纖寬帶寬性能；使CG2H40010成為了線性和壓縮功率放大電路的理想化選擇。晶體管適合于兩種旋緊式；法蘭和焊接藥丸封裝形式。

特征

高達8GHz的操控

2.0GHz時18dB小信號增益值

4.0GHz時16dB小信號增益值

17W典型PSAT

PSAT70%的效率

28伏操控

應用

2路個人收音機

寬帶放大器

蜂窩基礎設施建設

測試設備

ClassA;AB;主要用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；EDGE;CDMA波型

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

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產品 SKU	技術	最小頻率	最大頻率	峰值輸出功率	獲得	效率	工作電壓	形式	包裝類型
CG2H40010P	碳化硅上的氮化鎵	DC	6GHz	10 W	>16 dB	65%	28V	封裝分立晶體管	Pill
CG2H40010F-AMP	碳化硅上的氮化鎵	3.5GHz	3.9GHz	10 W	>16 dB	NA	28 V	評估板	Flange
CG2H40010F	碳化硅上的氮化鎵	DC	6GHz	10 W	>16 dB	65%	28 V	封裝分立晶體管	Flange

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