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C波段氮化鎵 HEMT放大器CGHV1F025 CREE

發布時間:2022-08-17 16:53:17     瀏覽:987

WolfspeedCGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于LSCXKU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S運作在40伏鐵路道岔上,封裝在3mmx4mm;表面安裝;雙扁平無導線(DFN)封裝。減少了功率;CGHV1F025可以從40V20VVDD電壓下運行;保持高增益和高效率。

特征

高達15GHz的操控

25W典型輸出功率

9.4GHz11dB增益值

8.99.6GHz的技術應用電路

應用

L;S;C;X Ku波段放大器

CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。

詳情了解CREE射頻微波請點擊:http://www.nfda.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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