欢乐颂小说在线阅读,怎样写网络小说,欢乐颂小说结局是什么

CGH40025 C波段25W 射頻功率 GaN HEMT CREE

發布時間：2022-09-07 17:12:19 瀏覽：834

Wolfspeed的CGH40025無可挑剔的；氮化鎵(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT)。CGH40025；從28伏電壓軌工作；提供通用型；CGH40025寬帶網絡解決方案適合各種射頻和微波應用領域。GaN HEMT提供高效率；高增益和寬帶網絡寬性能；CGH40025稱為線性和壓縮功率放大電路理想的選擇。晶體管可旋進；法蘭封裝和焊接藥丸式封裝。

特征

高至6GHz的操控

2.0GHz時15dB小信號增益值

4.0GHz時13dB小信號增益值

30W典型PSAT

PSAT效率為62%

28伏操控

應用領域

2路私人收音機

寬帶放大器

蜂窩基礎設施建設

測試設備

ClassA;AB;主要用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；EDGE;CDMA波形

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

詳情了解CREE射頻微波請點擊：http://www.nfda.cn/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CGH40025F	GaN on SiC	DC	6 GHz	25 W	>13 dB	62%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Flange
CGH40025P	GaN on SiC	DC	6 GHz	25 W	>13 dB	62%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Pill
CGH40025F-AMP	GaN on SiC	3.4 GHz	3.8 GHz	25 W	>13 dB	62%	28 V	Evaluation Board	Flange

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: 12 路功分器和合路器MCLI

成人在线精品-成人在线精品视频-成人在线免费-成人在线免费播放-成人在线免费观看视频