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CGH55030F1/P1 C波段氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管CREE

發布時間：2022-09-27 16:45:13 瀏覽：765

Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是專門為高效率而設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；促使CGH55030F1/CGH55030P1特別適合5.5–5.8-GHzWiMAX和BWA功率放大器應用。CGH55030F1/CGH55030P1晶體管具備旋緊式法蘭和焊接式藥丸封裝。根據適量的外部適配調節；CGH55030F1/CGH55030P1同樣適用于4.9–5.5-GHz應用。

特征

300MHz瞬時網絡帶寬

30W峰值功率性能

10dB小信號增益值

4WPAVE<2.0%EVM

瞬時功率為4W時效率為25%

應用

WiMAX穩固連接802.16-2004OFDM應用

多載波DOCSIS應用

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

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Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CGH55030F1	GaN on SiC	DC	6 GHz	30 W	10 dB	25%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Flange
CGH55030P1	GaN on SiC	DC	6 GHz	30 W	10 dB	25%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Pill

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