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CG2H40035 C波段射頻功率GaN HEMT CREE

發布時間：2022-10-10 16:47:10 瀏覽：910

Wolfspeed的CG2H40035是無與倫比的;氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CG2H40035使用在28伏的軌道中;提供一般應用領域;各種微波射頻和微波應用寬帶解決方案。CG2H40035高效率;高增益和寬帶性能使CG2H40035成為線形和壓縮功率放大電路的最佳選擇。CG2H40035晶體管主要有兩種緊固形式;法蘭封裝及焊接;藥丸式封裝。

特征

輸出功率高達6GHz

40W典型PSAT

PSAT效率為64%

3.5GHz時14dB小信號增益值

28V操控

應用

雙向專用型收音機

寬帶放大器

蜂窩基礎設施建設

測試設備

ClassA;AB；主要用于OFDM的線形放大器；W-CDMA；EDGE（邊緣）；CDMA波型

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

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Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CG2H40035F-AMP1	GaN on SiC	0.5 GHz	3 GHz	35 W	14 dB	50%	28 V	Evaluation Board	Flange
CG2H40035P	GaN on SiC	DC	6 GHz	35 W	14 dB	64%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Pill
CG2H40035F-AMP	GaN on SiC	DC	6 GHz	35 W	14 dB	64%	28 V	Evaluation Board	Flange
CG2H40035F	GaN on SiC	DC	6 GHz	35 W	14 dB	64%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Flange

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