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?SemiGen肖特基二極管

發布時間:2023-05-29 17:00:04     瀏覽:880

SemiGen的硅肖特基二極管致力于40GHz以內技術的應用需求設計。特殊處理技術通過各種金屬材質方案為低、中和高阻隔技術應用提供性能優勢。最終結果是具有嚴格把控電容的低電阻二極管,能夠實現最高效率。SemiGen肖特基二極管低交流損耗和優異的TSS從而使二極管成為了工作頻段從S波段到Ka波段的探測器/混頻器技術應用及其解調器、低功率限制器和高速度開關的最佳選擇。

特征:

多結處理芯片

1/F噪音

小結電容

應用:

適用于混頻器、探測器、倍頻器和解調器。

SemiGen是美國一家晶圓級射頻器件實力派制造商,從晶圓到封裝器件品類豐富,從航天級MIL-PRF 38534到軍用MIL-PRF 19500750883SemiGen致力于提供卓越的質量和可靠性。

深圳市立維創展科技有限公司,授權代理于中國區域銷售SemiGen產品,并提供售前和售后技術支持服務。

詳情了解SemiGen請點擊:http://www.nfda.cn/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

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20.0

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SLB102

3.0

0.300

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20.0

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0.320

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SLB104

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20.0

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SLB105

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20.0

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SLB107

3.0

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SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

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0.300

0.14

20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

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0.250

0.20

20.0

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SLB113

4.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB114

4.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

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-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
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@ 5 mM
TYP
(Ohms)

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Signal
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(dB)

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20.0

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20.0

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SMB209

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20.0

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20.0

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-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

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SHB315

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