君子以泽,辰东,完美世界txt全集下载

?GTVA12600雷達放大器CREE

發布時間：2023-06-08 16:49:38 瀏覽：1233

CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)，適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能；高效化;和熱強化包。

特征

輸入適配

常見的單脈沖CW性能（AB類）；1200MHz；50伏；300μs脈沖頻率；10%pwm占空比；輸出功率(P3dB)=600W；引流效率=65%；增益值=18dB

可以在單脈沖環境下以600W輸出功率承載10:1負載失諧（所有相位差）：300μs脈沖頻率；10%pwm占空比；VDD=50V；IDQ=100mA

模特模型1C類（根據AnSI/ESDA/JEDECJS-001）

無鉛并符合RoHS標準規定

應用

雷達放大器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

詳情了解CREE射頻微波請點擊：http://www.nfda.cn/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
GTVA126001FC-V1	GaN on SiC	1.2 GHz	1.4 GHz	600 W	20 dB	63%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Earless
GTVA126001EC-V1	GaN on SiC	1.2 GHz	1.4 GHz	600 W	20 dB	63%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Bolt Down

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: ?CHW4313-QAG功率分配器/合成器UMS

成人在线精品-成人在线精品视频-成人在线免费-成人在线免费播放-成人在线免费观看视频