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?GTVA10700 L波段放大器CREE

發(fā)布時間：2023-06-13 16:42:27 瀏覽：1339

CREE的GTVA107001EC是款700瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)，適用于960至1215MHz頻率段。GTVA10700具備輸入適配功能性；高效化;和熱強化封裝；帶螺母穩(wěn)固法蘭盤。

特征

輸入適配

普遍的脈沖CW性能指標（AB類）；1030MHz；50伏；128ms脈沖寬度；10%pwm占空比；輸出功率P3dB=890W；引流效率=75%；增益值=18dB

可以承受10:1負載失諧（脈沖情況下700W功率輸出下的所有相位差：50V；100mAIDQ；128μs脈沖寬度；10%pwm占空比

模特模型類IC（根據(jù)ANSI/ESDA/JEDECJS-001）

無鉛并符合RoHS標準規(guī)定

應用

雷達放大器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業(yè)內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產(chǎn)品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。

深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商，擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道，并長期庫存現(xiàn)貨，以備中國市場需求。

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Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
GTVA107001FC-V1	GaN on SiC	0.96 GHz	1.215 GHz	700 W	20 dB	70%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Earless
GTVA107001EC-V1	GaN on SiC	0.96 GHz	1.215 GHz	700 W	20 dB	70%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Bolt Down

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