?CMPA1D1E025 Ku波段功率放大器CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-02-26 17:16:48 瀏覽:646
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC);選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較,GaN-on-SiC具有更加優(yōu)異的性能;砷化鎵或硅基氮化鎵;包含更高的擊穿場強(qiáng);更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。CMPA1D1E025 選用 10 導(dǎo)線;25 mm x 9.9 mm;金屬/陶瓷法蘭盤封裝能夠?qū)崿F(xiàn)最理想的電氣設(shè)備和熱穩(wěn)定性。
特征
24 dB 小信號(hào)增益值
40 W 典型脈沖信號(hào) PSAT
額定電壓高至 40 V
OQPSK 下 20 W 線性功率
A/B類高增益;高效率 50 Ω MMIC Ku 頻率段高功率放大器
應(yīng)用領(lǐng)域
軍工用和商用 Ku 波段雷達(dá)
產(chǎn)品規(guī)格
描述:25瓦;13.75 至 14.5 GHz;40V;Ku 波段 GaN MMIC 功率放大器
最低頻率(MHz):13500
最高頻率(MHz):14500
最高值輸出功率(W):25
增益值(dB):26.0
工作效率(%):16
額定電壓(V):40
類型:封裝的MMIC
封裝類別:法蘭盤
技術(shù):GaN-on-SiC
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PA-124-H-L-5 是 RLC Electronics PA 系列的一款可編程步進(jìn)衰減器,頻率范圍 DC - 5GHz,衰減范圍 0 - 15dB 且步進(jìn) 1dB,具備 28 伏線圈和脈沖閉鎖,以其卓越性能和靈活編程能力,成為基站(用于功率放大器自動(dòng)電平控制)、測試測量(作為矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和信號(hào)發(fā)生器關(guān)鍵組件)、軍用電子(在電子對抗系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)增益調(diào)整)、衛(wèi)星通信(地面站設(shè)備信號(hào)調(diào)理)等領(lǐng)域的理想選擇,其規(guī)格參數(shù)明確,連接器類型為 SMA 母頭,支持 TTL 控制 。