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?CMPA2735030 航空航天與國防GaN MMIC功率放大器

發布時間：2024-03-18 17:06:51     瀏覽：576

CREE的CMPA2735030是種根據氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包括更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還提供了更高的功率密度和更寬的帶寬。CMPA2735030包括兩級電抗適配功率放大器設計思路，能夠實現極其寬的帶寬。

CMPA2735030.png

特征

額定電壓高達 50 V

高擊穿場強

寬度為 5mm x 5mm；QFN 封裝

高溫度使用

應用領域

民用型和軍工用脈沖雷達功率放大器

產品規格

描述：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 功率放大器

最低頻率(MHz)：2700

最高頻率(MHz)：3500

最高值輸出功率(W)：30

增益值(dB：)30.0

工作效率（％）：45

額定電壓(V)：50

形式：離散裸芯片

封裝類別：Die

技術：GaN-on-SiC

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