QPD0030 GaN射頻功率晶體管Qorvo現貨
發布時間:2024-07-24 08:46:28 瀏覽:610
QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管,它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作,頻率范圍從直流(DC)至5GHz,輸出功率在P3dB點達到45W,非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。
QPD0030的主要特點包括:
- 頻率范圍:DC至5GHz
- 輸出功率(P3dB):在2.2GHz頻率下,輸出功率可達49W。
- 線性增益:在2.2GHz頻率下,典型增益為22.3dB。
- 典型PAE3dB:在2.2GHz頻率下,效率高達71.5%。
- 工作電壓:48V。
- 低熱阻封裝:在高功率工作時有效散熱,保持器件的穩定性和壽命。
- 支持連續波(CW)和脈沖工作模式
QPD0030可以應用于Doherty架構中,特別適合作為小型蜂窩、微蜂窩和有源天線系統的基站功率放大器的最后級,也可以用作微蜂窩基站功率放大器的驅動器。該器件采用了行業標準的4x3mm表面貼裝QFN封裝,便于集成到現有的射頻系統設計中。
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