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125W射頻功率晶體管NPT25100P

發(fā)布時間：2018-09-20 15:41:11 瀏覽：1406

氮化鎵28V，125W射頻功率晶體管

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT25100P	1周	300

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特征
針對CW，脈沖，WiMAX，W-CDMA，LTE和2100 - 2700MHz的其他應(yīng)用進行了優(yōu)化
10W線性功率@ 2.0％EVM用于單載波OFDM，10.3dB峰值/平均值，10MHz信道帶寬，16.5dB增益，26％效率
特點適用于高達32V的工作電壓
100％射頻測試
熱增強型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
高可靠性金金屬化工藝
無鉛
125W P3dB峰值包絡(luò)功率
90W P3dB連續(xù)波功率
符合ECCN 3A982.a.1出口管制
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品規(guī)格
電源電壓：28 V.
PSAT：90瓦
增益：16 dB
測試頻率：2.5 GHz
Theta JC：1.8 C / W.

MACOM是全球唯一一家用于射頻應(yīng)用的GaN on Si技術(shù)供應(yīng)商。我們在Si RF功率晶體管產(chǎn)品上提供廣泛的連續(xù)波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設(shè)計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，長脈沖雷達以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過60年的傳統(tǒng)，即使用GaN on Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產(chǎn)品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現(xiàn)出優(yōu)異的RF性能

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