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18W射頻功率晶體管NPT35015D

發(fā)布時間：2018-09-20 16:19:51 瀏覽：1582

氮化鎵28V，18W射頻功率晶體管

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT35015D	1周	600

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特征

針對3300 - 3800 MHz的CW，脈沖，WiMAX和其他應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
熱增強(qiáng)型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
100％射頻測試
特點(diǎn)適用于高達(dá)32V的工作電壓
1.7W線性功率@ 2％EVM用于單載波OFDM，10.3dB峰值/平均值，10.3dB @ 0.01％CCDF概率，10.5dB增益，18％漏極效率
25W P3dB峰值包絡(luò)功率
18W P3dB CW電源
以EAR99出口Contyrol為準(zhǔn)
無鉛
高可靠性金金屬化工藝

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品規(guī)格
測試頻率：3.5 GHz
Theta JC：6.3 C / W.
增益：11 dB
PSAT：18瓦
電源電壓：28 V.
電源電壓：28 V.
最小頻率：3,000 MHz
最大頻率：4,000 MHz

在MACOM，我們提供各種脈沖和線性RF功率晶體管產(chǎn)品 - 分立器件，模塊和托盤，設(shè)計工作頻率范圍為DC至6 GHz。我們的高功率晶體管是民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。我們的產(chǎn)品組合利用MACOM 60多年的傳統(tǒng)，提供使用雙極，MOSFET和現(xiàn)在GaN技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產(chǎn)品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在寬工作帶寬范圍內(nèi)在功率，增益，增益平坦度，效率和耐用性方面表現(xiàn)出優(yōu)異的RF性能。

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