欢乐颂小说结局是什么,我欲封天txt下载,盗墓笔记全集

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

發(fā)布時(shí)間：2018-10-31 16:06:12 瀏覽：1699

描述

AMCOM的AM00 5WN BI-R是一個(gè)離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為0.5mm。它在陶瓷封裝中運(yùn)行可達(dá)12 GHz。BI系列使用特殊設(shè)計(jì)的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時(shí)作為直流接地、射頻接地和熱路。這部分是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的。

品牌	型號(hào)	貨期	庫(kù)存
AMCOM	AM005WN-BI-R	1周	60

如若您需要購(gòu)買(mǎi)AM005WN-BI-R，請(qǐng)點(diǎn)擊右側(cè)客服聯(lián)系我們?。。?span id="q4uaa0guuu" class="font1">

特征
高達(dá)12 GHz的高頻操作
增益＝15dB，p5dB＝33.5dBm，PAE＝51%，漏極＝56% @ 3GHz。
表面貼裝

有效散熱的底部

應(yīng)用
高動(dòng)態(tài)接收機(jī)
蜂窩無(wú)線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達(dá)
測(cè)試儀表
陸軍
干擾機(jī)

上一篇: 使用具有獨(dú)立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強(qiáng)

下一篇: X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

成人在线精品-成人在线精品视频-成人在线免费-成人在线免费播放-成人在线免费观看视频