S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R
發布時間:2018-11-05 15:21:31 瀏覽:1411
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系列的一部分。HIFET是部分匹配的專利設備配置,用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高功率微波應用而設計的,工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝,具有彎曲或直線的引線安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這個HiFET是符合RoHS標準的。
品牌 | 型號 | 貨期 | 庫存 |
AMCOM | AM120MH2-BI-R | 1周 | 80 |
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用于有效散熱的陶瓷封裝
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