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S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

發布時間:2018-11-05 15:21:31     瀏覽:1411

描述

AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系列的一部分。HIFET是部分匹配的專利設備配置,用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高功率微波應用而設計的,工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝,具有彎曲或直線的引線安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這個HiFET是符合RoHS標準的。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM AM120MH2-BI-R 1周 80
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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益:g= 14dB@ 2GHz
高功率:P1dB=39 dBm @ 2GHz
高線性度:IP3=49 dBm @ 2GHz

用于有效散熱的陶瓷封裝


應用
寬帶應用
高電壓10~14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信

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