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摘要-GaN器件具有與GaAs器件相當(dāng)?shù)脑肼曄禂?shù)，同時(shí)能夠承受非常高的輸入驅(qū)動(dòng)器。本文介紹了2～4GHz(S波段)Pout～37dBm的GaN低噪聲放大器(LNA)、1．8～3．5dB噪聲系數(shù)(NF)和48～54dBm輸出參考三階截距點(diǎn)(OIP3)的設(shè)計(jì)。通過(guò)將柵極外圍為2.5mm的輸出級(jí)分成1.25mm的兩個(gè)部分并優(yōu)化其偏置，可以提高線性性能。偏置兩個(gè)FET的不同導(dǎo)致IMD3分量的相位消除和OIP3性能的提高。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在AB類柵極偏置和深A(yù)B類柵極偏置時(shí)，OIP3可提高9.5dBm。線性度FOM（OIP3/PDC）也得到改善，在較高的噘嘴時(shí)達(dá)到14。氮化鎵（GaN），S波段，LNA，線性化，OIP3。

一、引言
GaN HEMT技術(shù)正在成為雷達(dá)、電子對(duì)抗和無(wú)線通信應(yīng)用的首選技術(shù)。與傳統(tǒng)技術(shù)（GaAs、CMOS、SiGe）相比，GaN器件在微波頻率下具有高的輸出阻抗，因此可以提供非常高的輸出功率、高擊穿和較寬的工作帶寬。GaN器件具有與GaAs類似的噪聲系數(shù)，并且能夠承受高輸入功率電平。這消除了常規(guī)接收機(jī)中使用的限幅器電路的需要。同時(shí)，LNA線性度在惡劣環(huán)境下對(duì)微波接收機(jī)是一個(gè)挑戰(zhàn)[1]-[2]。本文提出了一種具有高OIP3的線性GaN-LNA。基本的方法是將晶體管分成多個(gè)較小的并行柵極，并分別對(duì)它們進(jìn)行偏置。通過(guò)獨(dú)立地改變每個(gè)晶體管的偏壓，可以提高線性度。在以前的工作中，將該技術(shù)應(yīng)用于GaN PA，在中等和高輸出功率電平下觀察到了改進(jìn)[3]。在本文中，我們將此技術(shù)應(yīng)用于GaN LNA，并看到在較低和更高輸出功率電平的改進(jìn)。據(jù)作者所知，這是首次使用該技術(shù)改進(jìn)GaN LNA的線性度。

二。線性化方法
通過(guò)在感興趣的頻率附近向放大器輸入施加雙音信號(hào)，模擬電路的線性度。為了獲得具有較好OIP3的電路，其思想是通過(guò)相位抵消來(lái)降低三階互調(diào)產(chǎn)物的功率電平。

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