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CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預(yù)匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應(yīng)用提供了寬帶解決方案。

非常適合脈沖雷達應(yīng)用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝上提出的。它基于準MMIC技術(shù)。

它采用密封法蘭陶瓷金屬電源封裝，可提供低寄生和低熱阻。