現階段SiC二極管早已十分成熟了，國內國外的玩家都能夠批量生產。但在MOS等其它元器件上，國內國外差別很大。從運用的角度觀察，盡管絕大多數的運用客戶都是有（或聲稱有）對SiC元器件的科學研究和計劃方案，但總的來說，對SiC元器件的深刻領會、對其應力和界限的探尋和科學研究，從運用端的多角度看來，也是必須更長期的全過程。
關鍵重要環節的產業發展規劃的難題：
襯底的加工過程中的精準操縱始終是個關鍵難題。SiC多晶硅生長發育環境溫度高達2,300℃，且碳化硅只能“固-氣”二相，對比于第一代、第二代半導體材料的“固-液-氣”三相，操縱下去要難題得多，沒有相關技術性開展參考參考。再加上SiC的多晶硅結構相似有200余種同分異構，很多的晶體結構間的自由能差別十分小，這些都給其多晶硅的產業發展規劃生長發育制取產生了很大的考驗。可以直接的結論是，sic單軸晶體中的缺點始終是關鍵要徹底解決的難題。
外延性方面，延續了襯底中缺點操縱的考驗——與襯底相似，其生長發育全過程的精準操縱也是難題。對生長發育全過程的設計必須綜合考慮到元器件要求、缺點和過程管理等各個方面要素。元器件端的考驗關鍵在mos管及之上（從結構的復雜性看來）元器件上，比如元器件柵氧層的制取，即便是功率器件的行業行業龍頭，現階段也也是必須連續不斷去提升和健全。由于SiC材料的高韌性和高溫生產加工區域環境，夾雜工藝上的考驗也較為大。
運用和計劃方案的配套設施可以直接決定了SiC元器件的應用推廣，功率半導體現階段絕大多數的應用領域也是以硅基產品為基礎性，必須依據SiC元器件的特性和要求設計制作其運用生態和配套設施的外圍電路，因此運用和計劃方案商的缺乏現階段對于整個產業鏈的發展而言，是一個急待提升的焦點。
或許，最關鍵的難題也是繞不開：成本費用。
常常聽到的一些思想觀點是，碳化硅元器件也是太貴了。從產業發展規劃的規律看，只能當成本費用和價錢跌破到某一些零界點后，其規模性的批量運用才會下去。這是一個動態性且復雜的全過程。
在這里只從一些邏輯性層面來剖析下“成本費”——適用SiC電力電子器件運用的人員，基本都是提及SiC電力電子器件的體系成本費已經貼近且極有潛力小于Si基元器件的體系成本費，因為SiC電力電子器件會促使配套的電源電路越來越更簡易和更少的模塊，進而在體系層面來可以降低成本。
芯片實際上也是電路系統，SiC電力電子器件芯片自身也歸功于更高效的個性特征——更小的size。一樣指標值和性能的企業產品，一片SiCwafer上可以生產制造出去的die的總數，大概能抵上上6片SiWafer的產出率。
因此SiC電力電子器件的成本費潛力及邏輯性支撐點，我們認為是令人信服的。但這一邏輯性一樣要經遭受具體運用狀況的考驗和檢測。一個是wafer成本費以及每顆die的成本費，較為適合的比較，是和12寸線的狀況來較為，這一臨界點大概會是12寸Si圓晶狀況下的幾倍？一個是更小的size的正負極經濟效益都要充分考慮，特別是結合事后的封裝和運用，或許很多看在明面上的益處，實際上是必須打折的。
對SiC產業化難點的歸納如下：
原材料——高成本費、缺點密度（良率）、圓晶規格和圓晶供求
元器件——高成本費、產線、長期性可靠性、封裝和可靠的供應鏈管理關系
體系/方案——外場配套和運用環境
確實，任何新鮮事物的產品推廣，基本都是遭受產業鏈本質發展邏輯性和動力促進而影響的，SiC電力電子器件也是一樣的。接著我們嘗試來剖析下，針對SiC電力電子器件而言，目前其產業鏈動能的狀況怎樣？
SiC功率半導體產業鏈的發展驅動力
5月7日，Cree公布將投資10億美金用以擴大SiC的生產能力，包含融合一座8寸晶圓廠（4.5億項目投資用以NorthFab，擴建工廠和生產能力）和一座SiC原材料工廠（4.5億美金用以megafactory，剩下的1億美金用以SiC其他業務流程的相關資金投入），將其SiC原材料和晶圓制造的能力（對比于2017年的Q1）擴大30倍。
Cree對SiC未來（到2024年）的預估的自信心到底有多少，我們不言自明，但打出那樣的牌，一是也合乎Cree這兩年始終對外釋放出來的數據信號，比如在2019財年Q2的EarningsCallTranscript中，Cree預計2019財年的資產資金投入約2.2億美金，絕大多數用于擴大wolfspeed的生產能力。二是Cree分辨目前早已達到了選用純電動車和選用碳碳復合材料的轉折點——汽車企業已公布方案在電氣自動化新項目上花銷至少3000億美元，他們對碳碳復合材料的興趣愛好非常高。因而企業需要確保自己在sic行業領域的長期性供貨能力。從他們目前和下游簽下的長期性晶圓供貨協議書已經驗證這種發展趨勢，目前這種協議書總金額超過4.5億美元，包含2020年與STMicro簽訂的使用價值超過2.5億美元的合同協議。
做為Cree在SiC原材料上的強勁競爭者，II-VI、DowCorning、Rohm和昭和電工近年來也是不斷在擴大生產能力。II-VI在其2019年Q3的網絡會議中說明：2018年基于SiC的電力工程電子設備提高了70％。全部SiC的應用商店已經提升，尤其是在中國。在財政投入層面，2019財年其很大部分的資產資金投入，基本都是用于SiC。II-VI對其每一個SiC原材料工廠常有一個批量生產改進方案，其核心在于較大程度地完成不斷的產量改善，方案在未來18到24個月內將生產能力增漲。融合和下游客戶的溝通和密切聯系得到的反饋，II-VI層面覺得市場層面明顯地低估了對SiC襯底的要求。此外，在下游要求的定位層面，和Cree類似，II-VI絕大多數的SiC襯底要求基本都是長期性合同協議。
日本SiC外延性的領導干部生產商昭和電工近些年也姿勢頻密，在持續4次公布擴大其SiC外延性生產能力后，其SiC外延性生產能力從最初的1500片/月提升至2019年Q1的9000片/月。而位于臺灣的外延性生產商嘉晶其2018年的sic外延性生產能力為4寸1500片/月，方案在2019年新增6寸1000片/月的生產能力。
一個產業發展規劃的驅動力體制是比較復雜的，但是最底層的幾個因素可以梳理為：成本（生產能力）、價錢（要求）、特性、應用和最后出海口。
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