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電源模塊在待機過程中會損害設(shè)備哪些部件?

發(fā)布時間:2020-05-13 11:13:57     瀏覽:1718

如今的社會變得越來越注重能源節(jié)約,無效耗損越小越好,尤其是一些儀器儀表設(shè)備行業(yè),在電源模塊應(yīng)用領(lǐng)域選型中,對電源模塊的待機功能損耗要求很高,那么電源模塊在待機過程中會損害設(shè)備哪些部件?如何降低待機耗損?

電源模塊啟動時電源電路耗損

電源模塊啟動時電源電路中的電阻會出現(xiàn)相應(yīng)耗損,這些耗損看上去并不大,但在待機的情況下,依然會占據(jù)相應(yīng)的損害比例。那該如何降低這些損害呢?在兼容產(chǎn)品啟動時和短路能力的同一時間,R取值越大耗損越小。此外在產(chǎn)品啟動時后,讓R不運行,耗損自然會減少,電源模塊把啟動時電源電路優(yōu)化,耗損也會減少。

電源模塊電力變壓器的耗損

電源模塊電力變壓器的耗損主要包括鐵損和銅損,電力變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響,工作頻率低損耗小,感值高耗損小,因此設(shè)計電力變壓器的情況下,要充分考慮工作頻率和感量值,在一個相對比較合適的值,耗損也會小;待機的情況下電力變壓器銅損是非常小的,對整體化的耗損影響微乎其微,設(shè)計電力變壓器的情況下,挑選適當(dāng)?shù)碾娎|線徑及線圈匝數(shù)就可以了。

電源模塊IC耗損

電源模塊IC都是會有一個運行電流量,使IC能夠正常運行,這些耗損是無法避免的,在IC選型的情況下盡量挑選運行電流量小的。

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電源模塊開關(guān)管的耗損

輸入端的MOSQ1在待機的情況下,通常體現(xiàn)的是開關(guān)損耗,因此必須降低待機時MOS管的耗損,待機的工作頻率也要降低。芯片選型的情況下,挑選芯片運行在輕載和空載的情況下會跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)MOS管要選用低柵荷的,最終得以降低耗損。

整流管D1耗損主要包括開關(guān)損耗,反向恢復(fù)耗損,導(dǎo)通耗損。整流管選型時,挑選低導(dǎo)通壓降和反向恢復(fù)時間較短的二極管,能夠 降低耗損。

電源模塊吸取電源電路的耗損

開關(guān)MOSDS極相互之間通常會加一個小電容器,用于消化吸收管子上的電壓尖峰,MOS管上的這些消化吸收電容器C5會耗損能量,在確保管子應(yīng)力有充足余量的的情況下,消化吸收電容器容值越小,耗損越小。

輸入輸出整流管上的RC消化吸收電源電路,降低RC消化吸收的耗損,在電源電路允許的的情況下,降低電容器C12容值,降低電阻R6阻值能夠 降低耗損。

電源模塊假負載電阻損耗

絕大多數(shù)的電源模塊產(chǎn)品都是會在輸入輸出端加一個假負載,用于確保電源模塊在空載或者很輕的負載的情況下產(chǎn)品的穩(wěn)定性,這些假負載會帶來耗損。在確保電源模塊性能指標(biāo)穩(wěn)定的的情況下,假負載電阻挑選越大耗損越小。當(dāng)電源電路不需要接假負載也能夠高效穩(wěn)定的工作,能夠 挑選不加假負載,這樣假負載的耗損就不存在了。

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