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AM020MH2-BI-R HiFET高壓GaAs場效應管AMCOM

發布時間：2024-09-20 08:56:24 瀏覽：771

　　AMCOM的AM020MH2-A-BI-R是其BI系列GaAs HiFET的一部分。這款HiFET是一種部分匹配的專利設計，適用于高電壓、高功率和寬帶應用。此組件具有4毫米的總設備周長。AM020MH2-BI-R專為高功率微波應用設計，頻率范圍最高可達6GHz。

　　BI系列采用特別設計的陶瓷封裝，具有直引腳安裝風格。封裝底部的法蘭同時作為DC接地、RF接地和散熱路徑。還有一種彎曲引腳版本適用于表面貼裝技術(SMT)應用。

AM020MH2-BI-R HiFET高壓GaAs場效應管AMCOM

　　特點

　　- 寬帶部分匹配：DC至2.4GHz

　　- 高頻操作：可達6GHz

　　- 高增益：在3.5GHz時增益15dB

　　- 高功率：在3.5GHz時P1dB為31dBm

　　- 高線性度：在3.5GHz時IP3為46dBm

　　- 底部接地有效散熱

　　應用

　　- 寬帶應用

　　- 高電壓10V至14V

　　- 無線局域網

　　- PCS基站

　　- WLAN、中繼器和HIPERLAN

　　- 雷達和航空通信

　　參數：

Bias at 14V/270mA (S2P file downloadable from the Web)
Freq (MHz)	MAG(S11)	ANG(S11)	MAG(S21)	ANG(S21)	MAG(S12)	ANG(S12)	MAG(S22)	ANG(S22)
200	0.621	-18.621	8.642	167.68	0.045	13.795	0.405	4.177
500	0.631	-43.6	8.277	149.531	0.036	-25.302	0.509	-3.917
1000	0.64	-80.941	7.365	121.484	0.028	-26.833	0.578	-25.813
1500	0.679	-107.195	6.336	98.301	0.025	-25.939	0.601	-44.057
2000	0.683	-130.367	5.444	76.973	0.024	-29.102	0.615	60.441
3000	0.687	-167.484	4.115	39.754	0.02	-40.691	0.647	88.875
4000	0.677	163.773	3.294	7.847	0.014	-56.361	0.692	-112.52
5000	0.641	137.336	2.805	-21.489	0.003	-153.734	0.706	-129.172
6000	0.599	105.863	2.726	-51.602	0.023	43.555	0.79	146.367
7000	0.541	58.244	2.604	-87.004	0.037	7.578	0.817	-166.602
8000	0.571	0.882	2.359	125.16	0.047	-25.074	0.839	172.109
9000	0.687	-45.787	2	-162.023	0.057	-52.545	0.83	150.031
10000	0.808	-78.57	1.688	163.75	0.069	80.164	0.799	126.715

深圳立維創展是AMCOM功率放大器的代理銷售，主營AMCOM的功率放大器，如：射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合放大器模塊、寬帶放大器、高功率放大器模塊、帶RF和DC連接器的高功率放大器模塊和低噪聲放大器，功率放大器，開關，衰減器，移相器以及上/下邊變頻器的定制，歡迎咨詢。

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