?WGC22630熱增強(qiáng)GaN放大器CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-10-17 17:08:29 瀏覽:728
CREE的WGC22630是款630 W(P4dB)GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器,非常適合多標(biāo)準(zhǔn)化蜂窩功率放大器技術(shù)需求設(shè)計(jì)。WGC22630具備2110-2200 MHz的優(yōu)化操作控制熱增強(qiáng)的包覆塑料封裝。
特征
GaN基SiC HEMT技術(shù)
單脈沖CW性能:2155 MHz,48 V,40μs脈沖寬度,10%pwm占空比,組合輸入輸出
輸出功率@P4dB=630 W
P4dB=68%時(shí)的效率
滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)化
產(chǎn)品規(guī)格
介紹:熱增強(qiáng)GaN放大器630 W,48 V,2110-2200 MHz
最高頻率(MHz):2200
電源電壓(V):48
PSAT Watt(W):85
增益(dB):16.5
封裝:TO288-8L
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ATS4A、ATS4B、ATS4C、ATS4D是Aeroflex推出的2-4GHz數(shù)字衰減器,均采用4位二進(jìn)制控制,具備低插入損耗(≤2.9dB)和高VSWR(≤1.6:1),廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)、電子戰(zhàn)及5G/6G測(cè)試領(lǐng)域,選型需根據(jù)具體衰減量、步進(jìn)精度及功率需求綜合考量。