?GTRB266502FC S波段高功率RF GaN基SiC放大器CREE
發(fā)布時間:2024-10-25 17:07:29 瀏覽:439
CREE放大器GTRB266502FC是款630 W(P3dB)S波段高功率RF GaN基SiC放大器,致力于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩狀電源應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。GTRB266502FC具備高效率和無環(huán)槽的熱增強(qiáng)封裝數(shù)據(jù)。
特征
?GaN on SiC技術(shù)
?輸入輸出適配
?不對稱設(shè)計(jì):
主:P3dB=297 W
最高值:P3dB=416W
?脈沖CW性能指標(biāo):2690 MHz,48 V,10μs脈沖寬度,10%pwm占空比,組合輸出
?輸出功率@P3dB=630 W
?P3dB時的效率=67%
?低熱導(dǎo)率
?滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
?蜂窩狀電源
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AAT-15-479/1S 是美國 PULSAR Microwave 公司推出的高性能電壓控制衰減器,專為微波電路精確幅度調(diào)節(jié)設(shè)計(jì),具備 0.5 - 2 GHz 頻率范圍、64 分貝衰減范圍、低插入損耗(最大 3.5 dB)及高功率處理能力(高達(dá) +27 dBm)等特性,采用 SMA 連接器,工作溫度范圍 -25℃至 +80℃,在通信、測試測量、雷達(dá)系統(tǒng)中可用于精確調(diào)控信號強(qiáng)度、適配量程、避免接收機(jī)過載及增強(qiáng)回波檢測能力。