?第三代650伏裸片碳化硅MOSFET
發布時間：2025-02-13 15:38:51 瀏覽：176
CREE憑借其三代650伏碳化硅MOSFET，進一步夯實了在碳化硅技術領域的領航地位。第三代650伏裸片碳化硅MOSFET能夠在更廣泛的電力系統中實現電力轉換的小型化、輕量化與高效化。其憑借業界領先的導通電阻和開關損耗表現，在650伏碳化硅MOSFET產品中脫穎而出，為系統帶來了前所未有的效率和功率密度。
特性
在低溫條件下展現出極低的導通電阻，有效降低能量損耗。
低寄生電容設計，減少不必要的信號干擾和能量損失。
配備具有超低反向恢復速度的快速二極管，進一步提升開關性能。
支持高溫操作（Tj=175°C），拓寬了應用場景和可靠性。
優勢
通過顯著降低開關和傳導損耗，提高了整體系統效率。
實現了高頻率的開關操作，提升了系統的響應速度和靈活性。
提高了系統級的功率密度，使得在有限的空間內能夠部署更強大的功能。
減小了系統的尺寸、重量和冷卻需求，降低了整體成本和維護復雜度。
應用領域
高性能工業電源，為工業生產提供穩定、高效的電力支持。
服務器/電信電源，確保數據中心和通信網絡的穩定運行。
電動汽車充電系統，加速電動汽車的普及和充電效率的提升。
儲能系統（ESS），優化能源存儲和分配，提高能源利用效率。
不間斷電源（UPS），為關鍵設備提供可靠的電力保障。
電池管理系統（BMS），精確監控和管理電池狀態，延長電池使用壽命。
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Product SKU Sort by Product SKU | Blocking Voltage Sort by Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C Sort by R<sub>DS(ON)</sub> at 25°C: Ascending | Current Rating Sort by Current Rating: Ascending | Gate Charge Total Sort by Gate Charge Total | Output Capacitance Sort by Output Capacitance | Reverse Recovery Charge (Qrr) Sort by Reverse Recovery Charge (Qrr) | Reverse Recovery Time (Trr) Sort by Reverse Recovery Time (Trr) | Tjmax Sort by T<sub>jmax</sub> |
CPM3-0650-0015A | 650 V | 15 mΩ | 120 A | 190 nC | 290 pF | 510 nC | 22 ns | 175 °C |
CPM3-0650-0045A | 650 V | 45 mΩ | 49 A | 63 nC | 100 pF | 247 nC | 13 ns | 175 °C |
CPM3-0650-0060A | 650 V | 60 mΩ | 37 A | 46 nC | 80 pF | 151 nC | 11 ns | 175 °C |
