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C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

發布時間：2018-10-31 15:42:33 瀏覽：1636

描述

AMCOM的AM025WN-Bi-R是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為2.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達8 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這部分是符合RoHS標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝

有效散熱的底部

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機

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