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X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

發布時間：2018-10-31 15:54:34 瀏覽：2080

描述

AMCOM的AM012WN-Bi-R是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為1.25mm。它是在陶瓷BI封裝，運行高達10千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這部分是符合RoHS標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝

有效散熱的底部

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機

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