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?650V分立碳化硅肖特基二極管

2024-12-24 17:37:31

?CREE的650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管技術針對性能卓越的電力電子技術應用進行優化，包括服務器電源、新能源電動車電動汽車極速充電系統、儲能設備、太陽能發電（PV）逆變電源、通訊產品等。

?KFCTS2000-10-5 鎖相式DRO振蕩器Synergy

2024-12-23 18:09:45

Synergy的KFCTS2000-10-5 鎖相式DRO振蕩器選用超低相位噪聲?和REL-PRO?專利技術，為航天工程和軍事、電信網絡、工控自動化、醫療器械、科學研究等提供精確地頻率控制。

?BU-67124W堅固的航空電子接口計算機North Hills

2024-12-23 18:08:43

North Hills的穩固型航空設備接口計算機（AIC）提供一個靈活性且可擴展的平臺，兼容普遍的數據網絡通訊。BU-67124W綜合了intel嵌入式計算系統架構一流性能和North Hills高密度多協議XMC模塊的I/O靈活性，在超小型、可構建、穩固外殼中提供前所未有的航空設備連接。

?RDKF RDKC-1.7-2.9-80-10W微帶衰減隔離器和循環器

2024-12-23 18:07:35

RDKF RDKC-1.7-2.9-80-10W微帶衰減隔離器和循環器致力于滿足用戶的所有微帶需求。可以根據不同的確切頻率需求進行調整。規格尺寸包括FDK和TDK的插入式替換件。

?NBB-500級聯寬帶GaAs MMIC放大器DC-4 GHz

2024-12-23 18:06:22

Qorvo的NBB-500級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-500根據安全可靠的HBT特有MMIC設計，為小信號應用提供了前所未有的性能參數。

?AM084209XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-23 18:05:23

AMCOM的AM084209XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM084209XD-P3的LO驅動電平范圍包括+10dBm至+16dBm。

?CHA2362-98F低噪聲單片放大器

2024-12-20 17:26:14

CHA2362-98F是款寬帶單片低噪聲單片放大器，集成化3個放大級，能夠產生22dB增益值，相位噪聲為2dB。CHA2362-98F致力于從國防軍事到商業服務通訊系統的普遍應用需求設計。

600V分立碳化硅肖特基二極管CREE

2024-12-20 17:25:10

?CREE的600V分立碳化硅（SiC）肖特基二極管使用MPS（并入PiN肖特基）設計方案，比傳統肖特基勢壘二極管更耐用安全可靠。將CREE碳化硅二極管與SiC MOSFET匹配，能在一起選擇時實現更高效率和更低的模塊價格的超強組合。

?26/28/29系列同軸負載

2024-12-19 17:10:03

Anritsu的26/28/29系列同軸負載的精準級終端通常在需要獲取盡量最低量反射的測量系統中應用。其優異適配的性能使其特別適合當作標量網絡分析儀上的故障位置測量基準。

?B0322J5050AHF超小型變壓器Anaren

2024-12-19 17:09:02

B0322J5050AHF是Anaren的一款薄型超小型平衡到不平衡變壓器，專為下一代無線網絡芯片組上的差分輸入輸出區域需求設計，B0322J5050AHF選用簡單易用的表面貼裝封裝，包含GSM頻率。

Aeroflex-Weinschel可編程衰減器

2024-12-19 17:08:08

Aeroflex-Weinschel可編程衰減器具有多種配置，廣泛適用于無線網絡測試數據。Aeroflex-Weinschel可編程衰減器有固態、機械繼電器和邊緣線設計，最高8個通道。

?NBB-402級聯寬帶GaAs MMIC放大器DC-8GHz

2024-12-19 17:07:08

Qorvo的NBB-402級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-402具有50Ω增益塊根據安全可靠的HBT特有MMIC設計，為小信號領域提供了前所未有的性能。

?AM041201XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-19 17:06:00

AMCOM的AM041201XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM041201XD-P3的LO驅動電平范圍包括+4dBm至+10dBm。

?CHA6682-98F高功率放大器

2024-12-18 17:19:58

CHA6682-98F是款作業在24至27.5GHz之間的三級高功率放大器，具備5W的飽和輸出功率和32%的功率額外效率。CHA6682-98F包含有功率檢測器。

?1000V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-18 17:18:27

?CREE提供多種1000V碳化硅（SiC）MOSFET，專門針對新能源充電樁系統等迅速功率開關進行優化；LED電源；及其可再生資源系統。1000V碳化硅MOSFET根據以及具有低導通電阻的特殊器件去解決諸多功率設計挑戰；

?110046020/ 110046020K定向耦合器KRYTAR

2024-12-17 17:17:13

KRYTAR的110046020/ 110046020K提高了多功能帶狀線設計的選擇，應用在10.0至46.0 GHz的寬帶頻率范圍內具有卓越的耦合性能，并且封裝緊湊便攜。此外，110046020/ 110046020K提供卓越的性能等級，包含20 dB、±1.0 dB的標稱耦合（相對于輸出）和±0.5的頻率精確度。

?2.000~5.800GHz插入式循環器NOVA

2024-12-17 17:16:06

NOVA射頻微波提供2.000~5.800GHz插入式循環器，主要用于連接通信網絡技術應用，國防軍事應用，蜂窩網絡和無線行業市場。

?53029-003J 0.9mm超微型接口連接器

2024-12-17 17:14:53

因為53029-003J連接器0.9mm超微型接口的校準標準不適用，因此53029-003J的兩個0.9 mm SuperMini 9 mil管腳連接器與1.85 mm Jack（F）至0.9 mm Plug（M）適配器背對背檢測。要獲取具有適配器的單獨連接器的VSWR。

?NBB-400級聯寬帶GaAs MMIC放大器DC-8GHz

2024-12-17 17:13:52

Qorvo的NBB-400級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-400具有50Ω增益塊根據值得信賴的HBT特有MMIC設計，為小信號應用提供了前所未有的性能指標。

?AM020313XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-17 17:12:36

AMCOM的AM020313XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM020313XD-P3頻率范圍在220-300MHz之間，LO驅動電平范圍在+14dBm至+20dBm。

CHA2441-QAG K波段低噪聲放大器

2024-12-17 11:24:42

?CHA2441-QAG是款K波段低噪聲放大器，從單獨偏置電源+3.3V具備25.5dB增益值，相位噪聲為2.5dB。所有的有源器件都是板上自偏置的。

900 V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-17 11:21:28

CREE擴展了其在碳化硅（SiC）技術中的主導地位，低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離（~8mm）。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運用最新的MOSFET

?MAAM-011305-DIE寬帶低噪聲增益模塊

2024-12-13 17:14:12

?MAAM-011305-DIE是款寬帶高動態范圍單級MMIC LNA。寬度為0.795 x 0.66 mm。MAAM-011305-DIE放大器內部適配，不需要任何外部適配模塊，就可以提供平整的增益和8 GHz的優良回波損耗。只需隔直電容器和帶旁路電容的射頻扼流線圈。

?NBB-312級聯寬帶GaAs MMIC放大器DC至12GHz

2024-12-13 17:12:21

NBB-312級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-312根據安全可靠的HBT特有MMIC設計，為小信號應用提供了前所未有的性能指標。

?RFLUPA0030G10A L,S波段超寬帶功率放大器

2024-12-13 17:10:07

RF Lambda的RFLUPA0030G10A是L,S波段超寬頻功率放大器，適合用在各式各樣無線通信網絡和國防安全應用領域，RFLUPA0030G10A頻率范圍在0.02GHz至3GHz。

?CMD244K5 L,S,C,X,Ku和K波段分布式驅動放大器

2024-12-13 17:07:39

Qorvo的CMD244K5是款寬帶GaAs MMIC分布式驅動放大器，頻率范圍從DC到20 GHz，使用無導線表面貼裝封裝形式。

AM012514XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-13 17:06:24

?AMCOM的AM012514XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM012514XD-P3的LO驅動電平范圍包括+14dBm至+20dBm。

?CHA2190-99F K,Ka波段低噪聲放大器

2024-12-12 17:27:45

CHA2190-99F是款兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。CHA2190-99F使用標準的pHEMT制造技術：柵極尺寸為0.25μm，根據基板上的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術。CHA2190-99F以芯片形式提供。

?1700 V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-12 17:26:18

CREE的1700 V碳化硅（SiC）MOSFET能夠實現相對較小、高效率的功率轉換系統。與硅基處理方式相比較，CREE碳化硅技術能夠提高系統功率密度、較高的工作頻率、較小的結構設計、更冷門的的模塊、較小的模塊規格（電感器、電容器、濾波器和變壓器）和整體成本效率。

?RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測器

2024-12-11 17:24:10

RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測器通常用于同軸系統，在10 MHz至18.0 GHz的頻率范圍內檢測高至100 mW的相應微波功率。