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NPT1012B氮化鎵28V 25W射頻功率晶體管 MACOM現(xiàn)貨

2018-07-09 10:47:46

NPT1012B氮化鎵28V 25W射頻功率晶體管， 針對DC-4000MHz的寬帶操作進行了優(yōu)化，14 - 28V的高效率，對于負載牽引數(shù)據(jù)和非線性模型，若您有任何疑問，請聯(lián)系我們立維創(chuàng)展，我們會盡最大努力為您服務(wù)。 ?

NPT2021國防應(yīng)用寬帶晶體管L波段雷達 MACOM代理商現(xiàn)貨熱銷

2018-07-09 10:35:31

NPT2021 GaN HEMT是一款寬帶晶體管，針對DC-2.5 GHz工作進行了優(yōu)化。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為45 W，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝，帶螺栓法蘭。

NPT2010 航空航天脈沖和線性寬帶晶體管 MACOM現(xiàn)貨

2018-07-09 10:26:06

NPT2010 GaN HEMT是一款針對DC-2.2 GHz工作優(yōu)化的寬帶晶體管。該器件設(shè)計用于連續(xù)波，脈沖和線性工作，輸出功率為100W（50 dBm），采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)金屬陶瓷封裝，帶螺栓法蘭。

NPT1010B氮化鎵氮氣28伏100W射頻功率晶體 MACOM現(xiàn)貨

2018-07-09 10:11:02

NPT1010B氮化鎵氮氣28伏，100W射頻功率晶體管使用SigaNIC?NFR1工藝建造-專有的氮化鎵硅技術(shù)不推薦用于新的應(yīng)用。 若您有任何疑問，請聯(lián)系我們立維創(chuàng)展，我們會盡最大努力為您服務(wù)。?

NPT25100射頻功率晶體管90W P3dB連續(xù)波功率 MACOM現(xiàn)貨

2018-07-09 09:42:42

NPT25100射頻功率晶體管90W P3dB連續(xù)波功率，優(yōu)勢和特點有CW、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE等2100～-2500兆赫其他應(yīng)用的優(yōu)化，高可靠性金金屬化工藝，熱增強工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，100%射頻測試等

NPT2022寬帶晶體管HF/UHF/L/S波段雷達 MACOM現(xiàn)貨代理商

2018-07-09 09:28:38

NPT2022 GaN HEMT是一種寬帶晶體管，針對DC-2 GHz工作進行了優(yōu)化。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為100 W（50 dBm），采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝。NPT2022非常適用于國防通信，陸地移動無線電，航空電子設(shè)備，無線基礎(chǔ)設(shè)施，ISM應(yīng)用和VHF / UHF / L / S波段雷達。

NPA1003QA寬帶功率放大器 VHF/UHF/L波段雷達 MACOM現(xiàn)貨

2018-07-09 09:18:19

NPA1003QA是一款寬帶，內(nèi)部匹配的GaN MMIC功率放大器，針對20-1500 MHz工作進行了優(yōu)化。該器件設(shè)計用于CW，脈沖和線性工作，輸出功率超過5W（37 dBm），采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝QFN4X4-16塑料封裝。

MAGX-011086高寬帶晶體管頻率DC-6 GHz MACOM代理商現(xiàn)貨

2018-07-09 09:10:27

MAGx-011086 GaN HEMT是一款寬帶晶體管，針對DC-6 GHz工作進行了優(yōu)化，采用用戶友好型封裝，是高帶寬應(yīng)用的理想選擇。該器件設(shè)計用于CW，脈沖和線性工作，輸出功率為5W（37 dBm），采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，低電感，表面貼裝QFN4X4-24塑料封裝。

HMC649ALP6E/HMC649ALP6ETR軍用6位數(shù)字移相器芯片 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 17:16:17

components.HMC649A是一款6位數(shù)字移相器芯片，額定頻率范圍為3 GHz至6 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC649A在所有相態(tài)具有3度的低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。

HMC647ALP6E/HMC647ALP6ETR衛(wèi)星通信6位數(shù)字移相器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 16:57:02

HMC647ALP6E是一款6位數(shù)字移相器，額定頻率范圍為2.5至3.1 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC647ALP6E在所有相態(tài)具有1.5度的極低RMS相位誤差及±0.4 dB的極低插入損耗變化。

HMC642ALC5/HMC642ALC5TR軍用雷達6位數(shù)字移相器芯片 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 16:54:24

HMC642A是一款6位數(shù)字移相器芯片，額定頻率范圍為9 GHz至12.5 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC642A在所有相態(tài)具有2.5度至3.5度的極低RMS相位誤差及±0.25 dB至±0.4 dB的極低插入損耗變化。

HMC648ALP6E/HMC648ALP6ETR數(shù)字移相器芯片 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 16:26:28

HMC648A是一款6位數(shù)字移相器芯片，額定頻率范圍為2.9 GHz至3.9 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC648A在所有相態(tài)具有1.2度至1.5度的極低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。

HMC264LM3/HMC264LM3TR微波集成LO放大器混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 16:16:06

HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器，采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在25至35 dB時，2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置（+3V至+4V）雙級設(shè)計，僅需-4 dBm的驅(qū)動。

HMC265LM3/HMC265LM3TR點對點無線電下變頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 15:50:11

HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器下變頻器，采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在28至47 dB時，2LO至RF和IF隔離性能出色，無需額外濾波。

HMC337/HMC337-SX微波無線電混頻器芯片 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 15:47:43

HMC337芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器，可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術(shù)，芯片整體面積為1.28mm2。 2 LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。

HMC338LC3B/HMC338LC3BTR軍用集成LO混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 15:36:46

HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次諧波(x2) MMIC混頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 在30 dB時，2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置（+3V到+4V）設(shè)計，需-5 dBm的標(biāo)稱驅(qū)動

HMC339/HMC339-S放大器X芯片次諧波混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 13:54:32

HMC339芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器，可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術(shù)，芯片整體面積為1.07mm2。 2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置（+3V至+4V）雙級設(shè)計，僅需+2 dBm的標(biāo)稱驅(qū)動。

HMC404/HMC404-SX集成LO放大器芯片 ADI現(xiàn)貨

2018-07-06 13:51:03

HMC404芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC鏡像抑制混頻器，可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術(shù)，芯片整體面積為2.31mm2。 片內(nèi)90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能，鏡像抑制大于22 dB。

HMC689LP4E/HMC689LP4ETR基站和中繼器混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 11:45:09

HMC689LP4(E)是一款高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率為2.0 - 2.7 GHz。 LO驅(qū)動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用可以獲得+32 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。

HMC685LP4E/HMC685LP4ETR高動態(tài)范圍集成LO放大器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 11:41:27

HMC685LP4(E)是一款高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率為1.7 - 2.2 GHz。 LO驅(qū)動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用可以獲得+32 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。 采用1 dB (+27 dBm)壓縮時，RF端口支持各種輸入信號電平

HMC683LP6CE/HMC683LP6CETR高通道隔離雙通道下變頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 11:08:07

HMC683LP6C(E)是一款高線性度、雙通道下變頻器，集成LO放大器，采用6x6 SMT QFN封裝，工作頻率為0.7 - 1.0 GHz。 LO驅(qū)動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用可以獲得+23 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。

HMC682LP6CE/HMC682LP6CETR高線性度下變頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 10:57:04

HMC682LP6C(E)是一款高線性度、雙通道下變頻器，集成LO放大器，采用6x6 SMT QFN封裝，工作頻率為1.7 - 2.2 GHz。 該器件針對3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用提供+25 dBm的出色輸入IP3性能以進行下變頻，LO驅(qū)動為0 dBm。

HMC666LP4E/HMC666LP4ETR高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 10:48:57

HMC666LP4(E)是一款高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率為3.1 - 3.9 GHz。 HMC666LP4(E)與HMC688LP4(E)引腳兼容，后者是一款2.0 - 2.7 GHz混頻器，集成LO放大器。

HMC786LP4E/HMC786LP4ETR集成LO放大器混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 10:41:08

HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率范圍為0.7至1.1 GHz。 LO驅(qū)動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用具有+40 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。

HMC785LP4E/HMC785LP4ETR無源MMIC混頻器 ADI現(xiàn)貨 蜂窩集成LO放大器

2018-07-05 10:33:34

HMC785LP4E是一款集成LO放大器的高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率范圍為1.7至2.2 GHz。 LO驅(qū)動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用具有+38 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。

HMC218BMS8GE/HMC218BMS8GETR固定無線超小型雙平衡混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 10:28:14

HMC218BMS8GE是一款超小型雙平衡混頻器，采用8引腳表貼塑料封裝(MSOP)。 無源MMIC混頻器采用GaAs Schottky二極管和新穎的平面變壓器片內(nèi)巴倫結(jié)構(gòu)。 該器件可用作上變頻器、下變頻器、雙相調(diào)制器/解調(diào)器或相位比較器。

HMC773ALC3B/HMC773ALC3BTR無引腳雙平衡混頻器6 GHz至26 GHz ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 10:18:06

HMC773A是一款通用型雙平衡混頻器，采用無引腳、RoHS兼容型LCC封裝，可用作6 GHz至26 GHz范圍內(nèi)的上變頻器或下變頻器。此混頻器無需外部元件或匹配電路。

HMC412BMS8GE/HMC412BMS8GETR微波無線電被動雙平衡混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 10:10:24

HMC412BMS8GE是一個被動雙平衡混頻器，工作在8至16千兆赫。HMC412BMS8GE與LO驅(qū)動電平在9至15 dBm之間工作，并在整個指定頻帶上提供8 dB的轉(zhuǎn)換損耗。這種混頻器不需要外部元件或偏置。

HMC558ALC3B/HMC558ALC3BTR通用型雙平衡混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 09:36:42

HMC558ALC3B是一款通用型雙平衡混頻器，采用無引腳RoHS兼容型SMT封裝，可用作5.5至14 GHz范圍內(nèi)的上變頻器或下變頻器。這款混頻器采用GaAs MESFET工藝制造，無需外部元件或匹配電路。

HMC219BMS8GE/HMC219BMS8GETR超小型通用雙平衡混頻器 ADI現(xiàn)貨

2018-07-05 09:34:31

HMC219B是一款超小型通用雙平衡混頻器，采用8引腳超小型塑料表貼封裝，帶裸露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造，無需外部元件或匹配電路。