?HCB1075N高電流表面貼裝(SMT)功率電感器
發布時間:2025-09-02 17:10:49 瀏覽:46
HCB1075N系列是DELTA(臺達)專為高電流密度應用打造的高性能表面貼裝(SMT)功率電感器,采用鐵氧體磁芯與多層平繞結構,支持280A額定電流及100μH標稱電感量,具備高頻低損耗、耐高溫(125℃)和強抗電磁干擾能力,廣泛應用于DC-DC轉換器、DC-AC逆變器及服務器、顯卡、5G通信等高功率電源模塊,以緊湊貼片封裝實現高效能量轉換與穩定供電。
核心參數
電氣性能
額定電流:280A。
電感值:100μH(部分型號允許誤差±15%)。
工作頻率:支持高頻應用(100kHz測試條件),感抗XL為24.8Ω,品質因數Q為12。
溫度范圍:-40℃至125℃。
結構與材料
磁芯與繞線:采用鐵氧體磁芯與多層平繞式繞線結構,磁芯線圈設計優化磁通密度,降低漏磁。
封裝形式:貼片功率電感封裝,磁芯形狀為罐形,骨架材料為合金粉末,提升散熱性能。
屏蔽特性:內置屏蔽層,減少電磁干擾(EMI),適合高密度電路布局。
制造工藝
高壓成型技術:磁性樹脂材料(磁性粉末+熱固性樹脂)通過高壓成型包裹線圈,提升結構強度與可靠性。
電極設計:工體結構采用“工字型”截面,線圈端子通過激光剝皮露出,并覆蓋錫鍍層或焊料形成穩定電極面。
主要特點
高電流能力:飽和電流(Isat)最高達 94 A,有效電流(Irms)最高達 76 A。
低輪廓設計:高度僅 7.5 mm,適用于超薄電源設計。
磁屏蔽結構:閉合磁路設計,顯著降低 EMI,減少對周邊元件干擾。
低直流電阻:DCR 低至 0.29 mΩ,有效降低導通損耗,提高系統效率。
環保合規:符合 RoHS 環保標準。
應用場景
高功率計算設備
l 顯卡與服務器主板:HCB1075N系列電感器廣泛應用于顯卡(如AMD/NV系列)及服務器主板,支持大電流低感值需求,確保電源轉換效率。
l CPU/GPU供電:組合式大功率設計可替代傳統分立電感,減少PCB占用空間,提升功率密度。
工業與通信領域
l 5G通信基站:高頻大功率特性滿足基站電源模塊需求,穩定支持高負載運行。
l 工控板與礦機:耐高溫、抗振動設計適應工業環境,保障長期穩定性。
優勢總結
高電流承載能力:280A額定電流遠超常規電感,滿足極端功率需求。
高頻低損耗:鐵氧體磁芯與優化繞線結構降低直流電阻(Rdc),提升Isat值(飽和電流)。
小型化設計:貼片封裝與緊湊結構(如HCB1075N-211尺寸僅需少量PCB空間)助力設備輕薄化。
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系列規格
型號 | 電感量 L (μH) | 直流電阻 DCR (mΩ) | 飽和電流 Isat (A) | 額定電流 Irms (A) | 尺寸 L×W×H (mm) |
HCB1075N-121 | 0.115 | — | — | — | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-151 | 0.150 | — | 94 | 76 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-181 | 0.175 | — | 72 | 59 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-211 | 0.215 | 0.29 | 62 | 50 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-231 | 0.230 | — | 48 | 39 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-271 | 0.270 | — | 43 | 35 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-311 | 0.310 | — | 37 | 30 | 10.4×8.0×7.5 |
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