MRF428主要設(shè)計(jì)用于高壓應(yīng)用,作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設(shè)備。額定50 V,30 MHz特性:輸出功率= 150 W(PEP),最小增益= 13 DB,效率= 45%。
MRF393雙極主要設(shè)計(jì)用于30至500 MHz頻率范圍內(nèi)的寬帶大信號輸出和驅(qū)動(dòng)放大器級。具有高可靠性金金屬化系統(tǒng)、推挽式配置降低了偶數(shù)編號的諧波等特征。
MRF323雙極主要設(shè)計(jì)用于200-500 MHz頻率范圍內(nèi)的寬帶大信號驅(qū)動(dòng)器和預(yù)驅(qū)動(dòng)放大器級。具有高可靠性金金屬化系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制的引線鍵合提供一致的輸入阻抗等特征
MRF317雙極主要設(shè)計(jì)用于30-200 MHz頻率范圍內(nèi)的寬帶大信號輸出放大器級,具有高可靠性應(yīng)用的金金屬化系統(tǒng)、 內(nèi)置匹配網(wǎng)絡(luò),用于寬帶運(yùn)營、寬帶測試裝置的保證性能等。
MRF316雙極主要設(shè)計(jì)用于30-200 MHz頻率范圍內(nèi)的寬帶大信號輸出放大器級。具有用于寬帶操作的內(nèi)置匹配網(wǎng)絡(luò)、 高可靠性應(yīng)用的金金屬化系統(tǒng)等特征。
MRF313雙極專為軍事,移動(dòng)和飛機(jī)無線電中的寬帶放大器,驅(qū)動(dòng)器或振蕩器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。具有用于改善MTBF的發(fā)射鎮(zhèn)流器和低電流命運(yùn)、提高穩(wěn)定性的共同發(fā)射極等特點(diǎn)。
MRF16006雙極設(shè)計(jì)用于范圍為1600 - 1640 MHz的28 V微波大信號,公共基極,C類,CW放大器應(yīng)用。具有金屬金屬化,發(fā)射器Ballasted長壽命和抗金屬遷移、 氮化硅鈍化等特點(diǎn)。
?MRF1090MB?設(shè)計(jì)用于短脈沖TACAN,IFF和DME發(fā)射器中的B類和C類共基極放大器應(yīng)用。具有金屬金屬化,發(fā)射器具有長壽命和抗金屬遷移性、 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝等特點(diǎn)。
MRF10502專為1025-1150 MHz脈沖公共基極放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì),如TCAS,TACAN和Mode-S發(fā)射器。具有內(nèi)部輸入和輸出匹配、金屬金屬化,發(fā)射器,Ballested長壽命和金屬遷移等特點(diǎn)。
MRF10350雙極專為1025-1150 MHz脈沖公共基極放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì),如TCAS,TACAN和Mode-S發(fā)射器。具有氮化硅鈍化、金屬金屬化,發(fā)射器具有長壽命和抗金屬遷移性等特點(diǎn)。
MRF10150專為1025-1150 MHz脈沖公共基極放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì),如TCAS,TACAN和Mode-S發(fā)射器。具有金屬金屬化,發(fā)射器具有長壽命和抗金屬遷移性、 氮化硅鈍化、密封包裝等特點(diǎn)
MRF10120?雙極專為960-1215 MHz長脈沖共基放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì),如JTIDS和S模式發(fā)射機(jī)。具有氮化硅鈍化、 密封封口行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝、 寬帶操作的內(nèi)部輸入和輸出匹配等特點(diǎn)。
MRF1004MB雙極微波脈沖功率硅NPN晶體管4.0W(峰值),960-1215MHz,設(shè)計(jì)用于短脈沖和長脈沖TACAN,IFF,DME和雷達(dá)發(fā)射器中的B類和C類共基極放大器應(yīng)用。
MAPRST1030-1KS雙極NPN硅功率晶體管,具有擴(kuò)散發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻器、高效的數(shù)字間幾何、密封金屬/陶瓷封裝、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)、內(nèi)部輸入和輸出阻抗匹配等特點(diǎn)。
MAPRST0912-50是RF功率晶體管。這些高功率晶體管是航空電子,通信,雷達(dá)以及工業(yè),科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。
MAPRST0912-350微波功率晶體管,具有內(nèi)部輸入和輸出阻抗匹配,金金屬化系統(tǒng),擴(kuò)散發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻器,寬帶C類操作,密封金屬/陶瓷封裝等特點(diǎn)
MAPR-002729-170M00雙極?NPN硅微波功率晶體管,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)部輸入和輸出阻抗匹配、擴(kuò)散發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻器、寬帶C類操作、密封金屬/陶瓷封裝。
MAPR-001214-380M00雷達(dá)脈沖功率晶體管,具有NPN硅微波功率晶體管、金屬化系統(tǒng)、擴(kuò)散發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻器、寬帶C類操作、內(nèi)部輸入和輸出阻抗匹配等特點(diǎn)
131D-02K-LT5DB是一款直接調(diào)制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監(jiān)控光電二極管。
131D-02J-LCT11-07是一款直接調(diào)制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二極管芯片,采用獲得專利的蝕刻刻面技術(shù),成本低廉,可作為測試芯片或晶圓使用。
131D-02I-LT5UB是一款直接調(diào)制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監(jiān)控光電二極管。
131D-02I-LT5MB是一款直接調(diào)制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監(jiān)控光電二極管。
131D-02I-LT5CB是一款直接調(diào)制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監(jiān)控光電二極管。
131D-02I-LT5AB是一款直接調(diào)制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監(jiān)控光電二極管。
131D-02I-LCT11是一款直接調(diào)制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二極管芯片,采用獲得專利的蝕刻刻面技術(shù),成本低廉,可作為測試芯片或晶圓使用。
131D-02I-KT5PB是直接調(diào)制的2.5 Gbps窄遠(yuǎn)場(NFF)DFB激光二極管芯片。它采用獲得專利的蝕刻刻面技術(shù),可實(shí)現(xiàn)高性能和產(chǎn)品均勻性,采用密封TO-56封裝,帶平面窗,球面透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監(jiān)控光電二極管。
131D-02I-KCT11是一款直接調(diào)制的2.5Gbps 1310nm窄遠(yuǎn)場(NFF)DFB激光二極管芯片,采用獲得專利的蝕刻刻面技術(shù),成本低廉,可作為測試芯片或晶圓使用。
131D-02E-LCT11-10是一款直接調(diào)制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二極管芯片,采用獲得專利的蝕刻刻面技術(shù),成本低廉,可作為測試芯片或晶圓使用。
131D-02E-VT5TB-50X產(chǎn)品是直接調(diào)制的10Gbps DFB激光二極管芯片,具有±10nm的中心波長容限。該產(chǎn)品采用獲得專利的蝕刻刻面技術(shù),可實(shí)現(xiàn)高性能和產(chǎn)品均勻性。產(chǎn)品可作為測試模具提供。
131D-02E-VT5MB-502系列產(chǎn)品采用密封TO-56封裝直接調(diào)制2.5Gbps 1310 nm DFB窄邊場(NFF)激光二極管。產(chǎn)品提供2mm球透鏡(6.7mm FL),集成InGaAs監(jiān)控光電二極管和B型引腳排列(共陽極)。