MACOM的MAAL-010200寬帶增益級是采用無鉛SOT-89表面貼裝塑料封裝的GaAs MMIC放大器。MAAL-010200采用單片1級自偏置設計,方便50?輸入/輸出阻抗可最大限度地減少所需的外部元件數量。其寬帶設計提供500至3000 MHz的可用性能。
MACOM的MAAL-009120寬帶增益級是采用無鉛SC70-6LD(SOT-363)表面貼裝塑料封裝的L波段GaAs MMIC放大器。MAAL-009120采用單片1級自偏置設計,方便50?輸入/輸出阻抗可最大限度地減少所需的外部元件數量。
MACOM的MAAL-008624是一款高動態范圍,P波段低噪聲GaAs MMIC放大器,采用低成本,表面貼裝封裝。它采用外部輸入匹配,以獲得最佳噪聲系數性能和工作頻率靈活性。MAAL-008624還具有靈活的偏置功能,可控制電流消耗與動態范圍權衡。
MACOM的MAAL-008091是一款高動態范圍P波段GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無鉛SOIC-8表面貼裝塑料封裝。它采用外部輸入匹配,以獲得最佳噪聲系數性能和工作頻率靈活性。MAAL-008091非常適用于需要低噪聲系數,高增益,高動態范圍和低功耗的場合。
L波段S波段低噪聲放大器MAAL-007304,是采用無鉛SOT-26表面貼裝塑料封裝的GaAs MMIC放大器。MAAL-007304采用單片2級自偏置設計,可根據系統要求在+3至+5伏之間偏置。MAAL-007304具有低噪聲,低電流和高增益。
XP1080-QU是一款四級37.0-40.0 GHz封裝的Ka波段GaAs MMIC功率放大器,具有25.0 dB的小信號增益和+38.0 dBm輸出三階截取。放大器包含一個集成的溫度補償片上功率檢測器。該MMIC采用M / A-COM技術解決方案的GaAs pHEMT器件模型技術,基于電子束光刻技術,確保高重復性和均勻性。
XP1043-QH封裝Ku波段線性功率放大器,工作頻率范圍為12.0-16.0 GHz。該器件在整個頻段內提供21.5 dB增益和41 dBm輸出三階截取點(OIP3),采用工業標準,全模壓4x4mm QFN封裝。封裝放大器由三級功率放大器和集成的溫度補償片上功率檢測器組成。
XP1042-QT封裝Ku波段驅動放大器,工作頻率范圍為12.0-16.0 GHz。該器件在整個頻段提供21 dB增益和38 dBm輸出三階截取點(OIP3),采用工業標準,全模壓3x3mm QFN封裝。該器件包括片上ESD保護結構和DC旁路電容,以簡化封裝部件的實施和批量組裝。
HMC-AUH256是一款Ka波段GaAs MMIC HEMT四級驅動放大器,工作頻率范圍17.5至41 GHz。 由于尺寸較小(1.93 mm2),該芯片可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 HMC-AUH256在1 dB壓縮點提供21 dB的增益和+20 dBm的輸出功率,使用+5V的偏置電源(295 mA)。
XP1039-QJ是一款封裝的線性C波段功率放大器,工作頻率為5.6-7.1 GHz。該器件提供17 dB增益和48 dBm輸出三階截取點(OIP3)。封裝放大器采用工業標準,全模壓6 mm QFN封裝,由兩級功率放大器和集成的溫度補償片上功率檢測器組成。
XP1035-QH是一款封裝的C波段線性功率放大器,工作在5.9-9.5 GHz頻段。該器件在整個頻段內提供26 dB增益和39 dBm輸出三階截取點(OIP3),采用工業標準,全模壓4x4mm QFN封裝。封裝放大器由三級功率放大器和集成的溫度補償片上功率檢測器組成。
MACOM的Ka波段放大器XP1031-QK??四級37.0-40.0 GHz SMD GaAs MMIC功率放大器具有25.0 dB的小信號增益和+35.5 dBm輸出三階截取。該MMIC采用M / A-COM Tech的GaAs PHEMT器件模型技術,基于電子束光刻技術,確保高重復性和均勻性。
MACOM的XP1018-BD四級37.0-42.0 GHz GaAs MMIC功率放大器具有26.0 dB的小信號增益和P1dB輸出壓縮點+25.0 dBm。該MMIC采用MACOM的GaAs PHEMT器件模型技術,基于電子束光刻技術,確保高重復性和均勻性。
K波段放大器芯片MAAP-118260是一款封裝的線性功率放大器,工作頻率范圍為17.7 - 26.5 GHz。該器件提供28.5 dB增益和37.0 dBm輸出三階截取點(OIP3),輸出P1dB超過28.5 dBm。該功率放大器采用無鉛,完全模制的5 mm,24引腳QFN封裝,由四級功率放大器和集成的片上功率和包絡檢測器組成。
MAAP-110150是一款封裝的線性Ku波段功率放大器,工作頻率范圍為10.0 - 15.35 GHz。該器件通常提供30 dB增益和40 dBm OIP3,輸出電壓超過31 dBm P1dB。該功率放大器采用無鉛,完全模制的5 mm QFN封裝,由3級功率放大器和集成的片上峰值功率檢測器和包絡檢波器組成。
MAAP-018260是一款K波段?封裝的線性功率放大器,工作頻率范圍為17.7 - 26.5 GHz。該器件提供27 dB增益和40 dBm OIP3,輸出電壓超過30 dBm P1dB。該功率放大器采用無鉛,完全模制的5 mm QFN封裝,由四級功率放大器和集成的片上功率和包絡檢波器組成。
X波段放大器雷達15W功率放大器MAAP-015036,是一款兩級GaAs MMIC功率放大器,工作頻率為8.5 - 10.5 GHz,飽和脈沖輸出功率為42 dBm,大信號增益為18 dB。
雷達通信系統X波段功率放大器MAAP-015030,兩級8.5 - 11.75 GHz GaAs MMIC功率放大器具有41dBm的飽和脈沖輸出功率,21dB的大信號增益和40%的功率附加效率。
Ka波段雷達寬帶功率放大器MAAP-015016-DIE,是一款工作頻率為32至38 GHz的寬帶功率放大器,飽和輸出功率為37 dBm,PAE為23%,信號增益小,為18 dB。
MAAP-011298是一款2.3瓦,4級Ka波段功率放大器,采用無鉛5 mm 32引腳AQFN塑料封裝。該功率放大器工作在27至31.5 GHz,提供24.5 dB線性增益,2.3 W飽和輸出功率和26%效率,同時偏置電壓為6 V. MAAP-011298可用作功率放大器級或驅動級更高功率的應用。
CMD292是寬帶GaAs MMIC分布式驅動器放大器芯片,工作頻率范圍為DC至30 GHz。該放大器提供13 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+27 dBm,輸出IP3為33 dBm(15 GHz)。CMD292采用50歐姆匹配設計,無需RF端口匹配。
L波段放大器簡介:根據IEEE 521-2002標準,L波段是指頻率在1-2 GHz的無線電波波段(波長300.00 - 150.00 mm),L波段功率放大器芯片/模塊在應用方面有電子戰(EW)、個人電腦基站、GPS應用、MMDS、無線局域網中繼器、14V應用、多頻段VSAT、蜂窩基礎設施基站等用途。
采用并聯獨立偏置門的帶OIP3>50dBm的S波段GaN LNA,aN器件具有與GaAs器件相當的噪聲系數,同時能夠承受非常高的輸入驅動器。本文介紹了2~4GHz(S波段)Pout~37dBm的GaN低噪聲放大器(LNA)、1.8~3.5dB噪聲系數(NF)和48~54dBm輸出參考三階截距點(OIP3)的設計。
GaN LNA中脈沖恢復時間的研究,基于我們之前關于脈沖恢復測試的博客,我們提供了具有5至9 GHz帶寬的市售GaN MMIC放大器的脈沖恢復時間測量。放大器組裝成金屬外殼,2.4 mm連接器用于連接測試設備。
GaN LNA中脈沖恢復時間,氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)因其高擊穿電壓和處理高RF功率的能力而以其在微波和毫米波功率放大器中的使用而眾所周知。最近,GaN技術也被用于在微波區域中創建低噪聲放大器(LNA),因為GaN的噪聲特性與其他半導體材料類似,最值得注意的是砷化鎵(GaAs)。
AMCOM的AM000 0100PM-BT是寬帶偏置TEE。在0.05GHz~10.0GHz頻段內,該電路插入損耗小于1.0dB,VSWR優于1.4:1。AM000100PM-BT是在一個小型鋁外殼與射頻輸入和輸出SMA連接器。偏置三通可以處理約1瓦的RF功率和可以有多達2.5A的直流電流。
AMCOM的AM00011040TM-CM-R是一個寬帶SPDT的T/R電源開關在CM封裝。在0.05~11.0GHz頻段內,其插入損耗小于2.5dB,優于2:1VSWR。這種T/R開關在發射模式(TX ON)下可以處理多達15W的RF功率,在接收模式(RX ON)下可以處理多達1W的RF功率。
AMCOM的AM000100CP - 20是一種雙向雙向耦合。It has 2.5DB插入loss and 21 DB耦合到0.002 to 10ghz Band .與SMA連接器有關的AM000100CP - 20在鋁合金中的包裝
AMCOM的AM0001000-20是一種雙向雙向耦合器。它有3到5DB插入LOSS和21 DB耦合到0.002到10Ghz Band。本發明的A000100DP - 20是在一個與SMA連接的鋁管中包裝的。
AMCOM的AM0040PM-VVP是一個連接的,完全匹配的電壓控制相位移相器模塊。它具有從2到5 GHz的寬的頻率范圍。該控制簡單地通過改變0至25伏特的直流輸入電壓(Vctrl)來實現。