低噪聲放大器(LNA)是幾乎所有雷達,無線通信和儀器系統中的關鍵組件。雖然噪聲系數(NF)性能通常是您的主要關注點,但與性能和尺寸,重量,功率和成本(SWaP-C)相關的其他微波系統考慮因素可能同樣重要,甚至更重要。
CMD276C4,CMD277C4和CMD278C4 GaN MMIC LNA具有高線性度性能,輸出IP3為+ 32dBm,同時提供5W的高輸入功率處理能力。高輸入功率處理功能使系統設計人員能夠避開限制器和其他保護網絡,同時在工作帶寬上仍能實現極低的噪聲系數。
CUSTOM MMIC很高興地宣布,我們最近已獲得Nemko認證,符合ISO 9001:2015標準。這一成就是從我們之前的認證到2012年和2015年的ISO 9001:2008標準的演變。
Custom MMIC:先進的MMIC有助于減小相控陣雷達系統的尺寸和功率,相控陣雷達系統是國家電子防御戰略的重要手段。從掃描遠程發射導彈的大型艦載系統到安裝在戰斗機和無人機(UAV)上的更緊湊的陣列,電子相控陣雷達有多種尺寸和形式,提供可靠的信號檢測和識別。與早期的雷達系統相比,這些現代系統具有許多優點,這些雷達系統依靠天線的物理運動來引導雷達波束以尋找目標。
CUSTOM MMIC繼續迅速增加其廣泛的MMIC開關系列; 兩個新的GaAs MMIC開關,即非反射型CMD235C4和CMD236C4。CMD235C4是一款DC-18 GHz寬帶MMIC SP5T交換機,提供寬帶性能,插入損耗為2.5dB,10 GHz時端口到端口的隔離度高達40dB。
我們很自豪地宣布推出業界首款超低噪聲放大器(ULNA)MMIC。CMD283C3提供令人難以置信的0.6 dB噪聲系數,優于所有其他LNA MMIC,并可與分立元件實現相媲美。它的工作頻率范圍為2 GHz至6 GHz(S&C頻段),輸出IP3為+26 dBm。
當應用于RF功率放大器MMIC時,GaN MMIC技術的功率最強。在這里,我們快速回顧一下我們的一些功率放大器MMIC成功的GaN。
我們custom mmic很高興地宣布,我們將繼續使用CMD270P3和CMD174增加我們廣泛的LNA和移相器MMIC產品組合。所述CMD270P3是裝在一個3×3的無鉛毫米的塑料表面上的C波段,4-8 GHz的低噪聲放大器安裝封裝。LNA提供大于16 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+18 dBm,噪聲系數為1.7 dB。
RF-Lambda發布了一系列高功率GaN放大器系統(ITAR),用于覆蓋導彈防御應用的X,K,Ku和Ka頻段,更多的特點型號請聯系我們。RFLUPA250K220MA放大器使用?方法,在打開電源之前,確保放大器的輸入和輸出端口被安全地終止到適當的50歐姆負載中。?
R50G69GSA低噪聲放大器應用范圍與主要參數,短途/高容量鏈路、無線局域網、軍事與空間、噪聲系數:3.8分貝、P1dB:±15 dBm、增益:10分貝、電源電壓:+5V和-5V、50歐姆匹配的輸入/輸出 ?
RAMP06G18GF固態寬帶電磁兼容臺式功率放大器使用方法,在打開電源之前,確保放大器的輸入和輸出端口被安全地終止到適當的50歐姆負載中。不要在沒有負載的情況下操作放大器。適當的50歐姆負載被定義為阻抗小于1.9-1或返回的負載。損耗大于10dB,相對于50歐姆在指定的操作帶寬內。
AMCOM的AM357039 WM是寬帶GaAs MMIC功率放大器。它有一個21dB小信號增益和37.5dBm(7W)飽和的額定CW性能輸出功率超過3.5至7GHz頻段。MMIC在兩個芯片(-00—R)中提供。包(-SN-R)表單。該AM357039 WM SN-R是在陶瓷封裝與A法蘭和直RF和DC導致裝配下降。
AMCOM的AM357037 WM是寬帶GaAs MMIC功率放大器。它有一個26dB小信號增益和37 dBm(5W)飽和輸出的額定CW性能功率超過3.5至7GHz頻段。MMIC在兩個芯片(-00—R)中提供。包(-SN-R)表單。該AM357037 WM SN-R是在陶瓷封裝與A法蘭和直RF和DC導致裝配下降。
AMCOM的AM072249WM是寬帶GaAs MMIC功率放大器。它有一個30dB小信號增益和39 dBm(8W)飽和輸出的額定CW性能功率超過0.7至2.2GHz頻段。MMIC在兩個芯片(-00—R)中提供。包(-SN-R)表單。AM072249WM SN-R是陶瓷封裝中的一種。
Qorvo的TQP7M9105是1W 5V小型蜂窩基站?高線性度驅動放大器,采用標準SOT-89表面貼裝封裝。在0.9 GHz時,TQP7M9105提供19.4 dB增益,超高49 dBm OIP3和+30 dBm壓縮1dB功率,同時吸收非常低的220 mA電流。內部電路允許放大器提供具有“AB類”效率的“A類”線性性能。TQP7M9105包含片上實現的附加專利功能,使其與市場上的其他產品區別開來
Qorvo的TQP7M9104是一款中繼器?高線性度驅動放大器,采用符合RoHS標準的行業標準QFN表面貼裝封裝。此的InGaP /砷化鎵HBT提供跨越15.8 dB增益,49.5 dBm的OIP3和32.5 dBm的P1dB為2.14千兆赫頻率的600?2700 MHz的范圍內的高的性能
Qorvo的TQP7M9103是一款?基站收發器?高線性度驅動放大器,采用符合RoHS標準的行業標準SOT-89表面貼裝封裝。這種InGaP / GaAs HBT可在寬范圍的頻率范圍內提供高性能,+ 0 dBm OIP3和+29.5 dBm P1dB,同時僅消耗235 mA靜態電流。所有器件均經過100%RF和DC測試。
Qorvo的TQP7M9102是一款高線性度驅動放大器,采用低成本,符合RoHS標準的表面貼裝封裝。這種InGaP / GaAs HBT可在寬頻率范圍內提供高性能,+ 4 dBm OIP3和+27.5 dBm P1dB,同時僅消耗135 mA靜態電流。所有器件均經過100%RF和DC測試。
Qorvo的TQP7M9101是一款采用標準SOT-89表面貼裝封裝的高線性度驅動放大器。這種InGaP / GaAs HBT可在寬頻率范圍內提供高性能,+ 40 dBm OIP3和+25 dBm P1dB,同時僅消耗87 mA靜態電流。所有器件均經過100%RF和DC測試。
Qorvo的TGA3500-SM是一款可變增益放大器,能夠支持各種應用。TGA3500-SM的工作頻率為2至12 GHz,采用久經考驗的Qorvo 0.15um pHEMT生產工藝設計。
Qorvo的TGA2958-SM是一款封裝的Ku波段放大器,采用Qorvo的0.15um GaN on SiC生產工藝(QGaN15)制造。TGA2958-SM工作在13-18GHz帶寬上,提供2W飽和輸出功率,20dB大信號增益和> 25%功率增加效率。
Qorvo的TGA2958是一款采用Qorvo TQGaN15 GaN工藝制造的驅動放大器。TGA2958的工作頻率為13 - 18 GHz,飽和輸出功率為2 W,大信號增益大于21 dB,功率附加效率至少為25%。
Qorvo的TGA2731-SM是用于S波段應用的驅動放大器。TGA2731-SM的工作頻率范圍為2.7至4.0 GHz,輸出功率> 30.7 dBm,信號增益大于22.7 dB。TGA2731-SM還在輸入端包含一個13dB衰減器,在輸出端還包含一個簡單的電阻耦合功率檢測器。
Qorvo的TGA2706-SM是一款封裝的2瓦功率放大器,適用于C波段應用。該部件采用Qorvo經過驗證的標準0.5um E / D pHEMT生產工藝設計。TGA2706-SM在12 dBm的輸入功率水平下提供標稱34 dBm的輸出功率,信號增益小,為31 dB。標稱TOI為42 dBm,噪聲系數為7 dB。
Qorvo的TGA2620是一款Ku波段MMIC驅動放大器,采用Qorvo的0.15um GaAs pHEMT生產工藝制造。TGA2620工作在16-18 GHz,提供超過19dBm的飽和輸出功率,18dBm P1dB和超過20dB的小信號增益。
Qorvo的TGA2599-SM是一款封裝驅動放大器,采用Qorvo的TQGaN25 0.25um GaN制造工藝制造。TGA2599-SM的工作頻率為5.0至8.0GHz,提供33 dBm的輸出功率,15 dB的大信號增益和34%的功率附加效率。
HMC646LP2(E)是一款SPDT開關,采用無引腳DFN表貼塑料封裝,可用于發射/接收和LNA保護等要求極低失真和高達40 W、占空比低于10%的高功率應用。 這款魯棒的開關可控制100 - 2100 MHz*的信號,非常適合TD-SCDMA/3G中繼器、PMR、汽車遠程信息處理和衛星用戶終端應用。
HMC596LP4(E)是一款低成本4x2開關矩陣產品,采用無引腳QFN 4x4 mm表貼封裝,可用于衛星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路開關。 開關上集成由正電壓控制的4位解碼器。 該開關可用于75 Ω或50 Ω系統。
HMC546LP2(E)是一款故障安全SPDT開關,采用DFN表貼塑料封裝,適合于需要極低失真和高功率處理(高達10 W)性能的發射/接收和LNA保護應用。 該器件可控制200 - 2700 MHz*信號,尤其適合WiMAX和WiBro中繼器、PMR和汽車遠程信息處理應用。
HMC1055是一款低成本、砷化鎵(GaAs)、單刀單擲(SPST)開關,采用LFCSP表貼封裝。 該開關具有低插入損耗、高隔離度和出色的三階交調性能,非常適合0.5 GHz至4.0 GHz范圍內的許多蜂窩和無線基礎設施應用。