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2.3 - 3.8 GHz 相控陣雷達6位數字移相器MAPS-010164

2018-09-11 14:47:49

MAPS-010164是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器，集成CMOS驅動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°，提供從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設計經過優化，可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。

1.4 - 2.4 GHz 通信天線GaAs pHEMT 6位數字移相器MAPS-0101631.4 - 2.4 GHz

2018-09-11 14:19:31

MAPS-010163是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝，集成CMOS驅動器。步長為5.6°，提供從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設計經過優化，可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。

8.0 - 12.0 GHz相控陣雷達4位數字移相器MAPS-010146

2018-09-11 14:13:54

MAPS-010146是一款GaAs pHEMT 4位數字移相器，集成CMOS驅動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為22.5°，提供從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設計經過優化，可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。

MAPS-010145航空航天GaAs pHEMT 4位數字移相器

2018-09-11 14:03:14

MAPS-010145是一款GaAs pHEMT 4位數字移相器，集成CMOS驅動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為22.5°，提供從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設計經過優化，可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。

MAPS-010144相控陣雷達GaAs pHEMT 4位數字移相器

2018-09-11 13:58:37

MAPS-010144是一款GaAs pHEMT 4位數字移相器，集成CMOS驅動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為22.5°，提供從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設計經過優化，可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。

低直流電耗4位數字移相器MAPS-010143

2018-09-11 13:50:44

MAPS-010143是一款GaAs pHEMT 4位數字移相器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝，集成CMOS驅動器。步長為22.5°，提供從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設計經過優化，可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。

DS856-高速3GHz直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:44:09

DS856是一種高速直接數字合成器（DDS），頻率調諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產生到接近1.6 GHz（在3.2-GHz時鐘速率）。

DS852——高速2.2 GHz直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:37:52

DS852是一種高速直接數字合成器（DDS），頻率調諧分辨率為32位，幅度分辨率為11位。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產生到接近1.1 GHz（在2.2-GHz時鐘速率）。初始階段可以重置為零度開始。該芯片有一對互補輸出50Ω后端。

DS707——高速啁啾直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:30:12

DS877是一種高速直接數字合成器（DDS），頻率調諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(對于第一奈奎斯特頻帶)和歸零模式(對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶)操作之間選擇。

DS88高速啁啾直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:26:13

DS878是一種高速直接數字合成器（DDS），頻率調諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(對于第一奈奎斯特頻帶)和歸零模式(對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶)操作之間選擇。

超寬帶高功率高效率的GaN放大器

2018-09-06 15:30:42

我們報告了一種超寬帶高功率高效率的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。

40-4000MHz寬帶高功率GaN MMIC功率放大器

2018-09-06 15:21:17

我們報告了一個高性能的GaN MMIC功率放大器工作在40MHz到400MHz之間。這個實現80W脈沖（100US脈沖寬度和10%占空比）MMIC循環）輸出功率（P5dB），40MHz，50W效率為54%大約30%的效率在大部分的中間波段，以及在400MHz時，效率逐漸降低到30W，效率為22%。

使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

2018-09-06 15:19:40

GaN HEMT具有高輸出功率密度和寬帶寬下的高效率。但是GaN HEMT的線性度通常比GaAs器件的線性度差。本文提出了一種簡單的方法來改善GaN HEMT的線性度。所提出的方法是將器件分成與獨立控制的柵極偏置電壓并聯的多個子單元，然后對子單元輸出進行功率組合。

CMD273P3高隔離度低損耗寬帶DPDT轉換開關DC-12 GHz

2018-09-05 17:08:51

CMD273P3是一款低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉換開關，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。CMD273P3覆蓋直流至12 GHz，在6 GHz時具有1.7 dB的低插入損耗和42 dB的高隔離度。CMD273P3采用0 / + 5 V互補控制電壓邏輯線工作。

CMD272P3低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉換開關DC-10 GHz

2018-09-05 17:06:11

CMD272P3是一款低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉換開關，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。CMD272P3覆蓋直流至10 GHz，插入損耗低至1 dB，6 GHz時的高隔離度為43 dB。CMD272P3采用0 / + 5 V互補控制電壓邏輯線工作。

CMD215芯片形式通用寬帶射頻微波高隔離反射型MMIC SPDT開關DC-40 GHz

2018-09-05 17:03:57

CMD215是芯片形式的通用寬帶RF /微波高隔離反射型MMIC SPDT開關。CMD215的直流電壓為40 GHz，具有2.3 dB的低插入損耗和36 dB至20 GHz的高隔離度。

DC-18GHz寬帶L波段S波段C波段X波段Ku波段SP5T非反射開關CMD235C4

2018-09-05 17:01:31

CMD235C4是一款寬帶RF /微波MMIC SP5T開關，采用無引腳4x4 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD235C4覆蓋直流至18 GHz，在10 GHz時具有2.5 dB的低插入損耗和40 dB的高隔離度。該開關還包括一個板載二進制解碼器電路，它將所需的邏輯控制線數量從五個減少到三個。

CMD234C4寬帶RF微波非反光設計SP3T開關DC-18 GHz

2018-09-05 16:57:27

CMD234C4是一款寬帶RF /微波MMIC SP3T開關，采用無引腳4x4 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD234C4覆蓋直流至18 GHz，在10 GHz時具有2 dB的低插入損耗和40 dB的高隔離度。

DC-28 GHz寬帶射頻微波高隔離SPDT非反射開關CMD196

2018-09-05 16:53:46

CMD196是芯片形式的通用寬帶RF /微波高隔離非反射MMIC SPDT開關。CMD196的直流電壓為28 GHz，插入損耗低至1.75 dB，14 GHz時的高隔離度為46 dB。

CMD230寬帶射頻微波DC-26GHz低損耗寬帶性能SPDT開關芯片

2018-09-05 16:49:08

CMD230是芯片形式的通用寬帶RF /微波高隔離反射型MMIC SPDT開關。CMD230的直流電壓為26 GHz，插入損耗低至1.4 dB，13 GHz時的高隔離度為40 dB。

DC-20 GHz高隔離度L波段S波段C波段X波段Ku波段K波段SPST非反射開關

2018-09-05 16:46:29

CMD204C3是一款通用寬帶RF /微波高隔離度非反射型MMIC SPST開關，采用無引腳3x3 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD204C3的直流至20 GHz，插入損耗低至1.3 dB，10 GHz時的高隔離度為48 dB。

CMD204通用寬帶RF微波DC-20GHz正增益斜率SPST非反射開關芯片

2018-09-04 16:07:18

MD204芯片是通用寬帶RF /微波高隔離無反射MMIC SPST開關。CMD204的直流電壓為20 GHz，具有1.0 dB的低插入損耗和10 GHz時50 dB的高隔離度。該開關使用0 / -5 V的互補控制電壓邏輯線工作，無需偏置電源。

DC-20 GHz高隔離度SP4T非反射開關CMD203C4

2018-09-04 15:58:38

CMD203C4是一款寬帶RF /微波MMIC SP4T開關，采用無引腳4x4 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD203C4覆蓋直流至20 GHz，插入損耗低至2.4 dB，10 GHz時的高隔離度為39 dB。該開關還包括一個板載二進制解碼器電路，它將所需的邏輯控制線數量從4個減少到2個。

CMD203射頻微波DC-20GHz高隔離度SP4T非反射開關芯片

2018-09-04 15:51:24

CMD203是一款裸片式射頻/微波MMIC SP4T開關，采用裸片形式。CMD203的直流電至20 GHz，插入損耗低至2.4 dB，10 GHz時的隔離度高達39 dB。該開關還包括一個板載二進制解碼器電路，它將所需的邏輯控制線數量從4個減少到2個。

CMD196C3寬帶射頻微波DC-18 GHz低損耗寬帶性能SPDT非反射開關MMIC

2018-09-04 15:46:02

CMD196C3是一款通用寬帶RF /微波高隔離度非反射型MMIC SPDT開關，采用無引腳3x3 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD196C3的直流電壓為18 GHz，具有1.5 dB的低插入損耗和8 GHz時46 dB的高隔離度。

CMD195C3寬帶射頻微波DC-18 GHz高隔離度L至Ku波段SPDT非反射MMIC開關

2018-09-04 15:18:04

CMD195C3是一款寬帶RF /微波MMIC SPDT開關，采用無引腳3x3 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD195C3涵蓋直流至18 GHz（L至Ku頻段），具有2 dB的低插入損耗和37 dB的高隔離度以及正增益斜率。正增益斜率功能允許將多個開關級聯在一起，而無需增益均衡電路。

L波段至K波段DC-20GHz裸片式快速切換SPDT非反射開關MMIC芯片CMD195

2018-09-04 15:10:53

CMD195是一款裸片式非反射式GaAs射頻/微波MMIC SPDT開關，采用裸片形式。CMD195涵蓋直流至20 GHz，具有2 dB的低插入損耗和37 dB的高隔離度以及正增益斜率。正增益斜率功能允許將多個開關級聯在一起，而無需增益均衡電路。

L至Ku波段DC - 18GHz高隔離度SP6T非反射開關CMD236C4

2018-09-04 15:08:03

CMD236C4是一款寬帶MMIC SP6T開關，采用無引腳4x4 mm表面貼裝封裝。CMD236C4覆蓋直流至18 GHz，插入損耗低至2.5 dB，10 GHz時的高隔離度為42 dB。該開關還包括一個板載二進制解碼器電路，它將所需的邏輯控制線數量從五個減少到三個。

AMCOM寬帶放大器芯片的可靠性獲得美國Raytheon公司的贊譽

2018-09-04 11:34:05

美國AMCOM 公司的市場人員在例行拜訪Raytheon公司發現，他們在2003年選用的AMCOM的寬帶放大器芯片產品，用于雷達預警系統的項目，持續工作近15年時間，目前在全球眾多防務客戶中，均未反饋有故障發生。對此，Raytheon公司雷達項目工程師團隊給予AMCOM公司極高的品質評價。

3-6 GHz低相位誤差S波段C波段5位數字移相器CMD174

2018-09-03 16:43:56

CMD174管芯是GaAs MMIC 5位移相器。CMD174工作頻率為3至6 GHz，提供0至360度的單調相位覆蓋，LSB為11.25度。該器件采用0或-3 V單比特負邏輯控制，插入損耗為7.6 dB，相位誤差為±2度。