ADI?對數(shù)RMS檢波器非常適合需與波形無關(TruPwr?RMS)功率測量寬動態(tài)范圍(高至70dB)的應用。RF真實的輸入功率每改變一個dB,ADI對數(shù)RMS檢波器的輸出電壓就會出現(xiàn)相同的變化。
UMS的CHA6356-QXG?是種三級單片GAAS高功率電源電路,可形成2瓦的額定功率。CHA6356-QXG搭載了功率探測器并允許增益控制。包含ESD保護.
Wolfspeed的CMPA2060035?是根據(jù)氮化鎵(GaN)HEMT的單片微波集成電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比較,氮化鎵具備優(yōu)異的性能指標;包含相對較高的擊穿場強;飽和電子漂移效率高,傳熱系數(shù)高。
在性能上相當于180?共混,Marki?高隔離巴倫降低了不同端口之間的泄漏數(shù)據(jù)信號,并且通過清除Marki高隔離巴倫誘導的偽象誤差,在不明顯減少信號功率的情形下增強了信號完整性。
Narda MITEQ?生產制造與設計多系列同軸定向耦合器。這些定向耦合器具備優(yōu)異的性能和安全可靠性。MITEQ單向耦合器具備低插入損耗,超寬帶性能指標,現(xiàn)成的交貨和緊湊型的設計風格。
WENTEQ?標準WWA系列波導適配器具備兩種不同標準波導端口(矩形或圓形波導)相互之間的聯(lián)接。WWA系列標準波導適配器包含工作頻段為1.45至110GHz。
RF-Labs?的高指向性耦合器選用Millitech的技術CL3產品系列3端口高指向性定向耦合器的工作頻段為18至170GHz,耦合值為10、20、30和40dB。3端口高指向性耦合器在耦合平整度低于±0.7dB的全波導頻段上作業(yè)。
功分器是根據(jù)輸入信號能量劃分成兩個或多個輸出相同或不同能量的器件。還可以將多個輸入信號能量組合到單獨輸出。在這種情況下,電路功分器也稱為合路器。
Qorvo?的CMD326是款寬帶GaAs MMIC低相位噪聲放大器,特別適合國防軍事、航空航天和通訊系統(tǒng)。在10ghz時,CMD326提供14.4db的增益值,飽和輸出功率為+24.4dbm,噪聲系數(shù)為3.5db。
AMCOM?的AM12516541MD-5H是種寬帶GaN功率放大器模塊,致力于通用型設計應用。AM12516541MD-5H的輸出功率從12.5GHz到16.5GHz,通常提供12瓦(41dBm)的CW輸出功率和51dB的小信號增益值。
ARRA?直接校準移相器具備非常高的精密度和非常高的相位調整分辨率。數(shù)字讀值以0.01°/GHz的增長校準,精密度為±0.1°。ARRA直接校準移相器雖然安裝在1GHz下校準,但是通過將相位讀數(shù)乘上GHz之內輸出功率,能夠很輕松地在其它頻率下應用。
功率限制器的應用范圍廣泛,功率限幅器的品質直接決定了產品質量,因此功率限制器應用研究和生產一直備受世界各國的高度重視。由于電子計算機技術、集成工藝和材質工業(yè)的高速發(fā)展,功率限制器的發(fā)展也達到了一個新的水平,并向著高精度、功耗低、小體積的發(fā)展方向。
RADITEK?創(chuàng)立于1993年,致力于世界各地客戶提供穩(wěn)定性可靠的射頻和微波器件。RADITEK兼容最高頻率100GHz,包含點對點無線通信系統(tǒng)、衛(wèi)星地面站、VSAT、移動電話通信基站和廣播無線通信。RADITEK為循環(huán)器和隔離器提供超小型封裝。
EK101M-R插件電纜連接器設計適用于設置在Anritsu? K118半剛性電纜或其他任何相似的電纜組件上。EK101M-R提供了從直流電到43.5GHz的工作頻率通用性,具備可追蹤和無模塊的性能指標,構建了國家計量實驗室的品質保證的可信賴的不確定度預算,并清除了在諧振點的不正確檢測的概率。
Anaren?的X3C03A1-03S是款低輪廊,性能高3dB混合正交(90度)耦合器,具備新表面的安裝組件,容易使用及生產制造。
CHA6652-QXG?是種三級單片Gaas高功率電源電路,可形成2瓦的輸出功率。CHA6652-QXG與可能性的增益控制高度線性,并搭載了功率探測器。包括ESD保護。
Wolfspeed?的CGH55030F1/CGH55030P1是專門為高效率而設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;促使CGH55030F1/CGH55030P1特別適合5.5–5.8-GHzWiMAX和BWA功率放大器應用。
Aeroflex?設計和制作適用范圍廣的定制開發(fā)混頻器和倍頻設備,使射頻微波可以從一種頻率轉換為另一種頻率,或相乘以形成新的頻率。
KRYTAR?新式定向耦合器款型1100110010它提供行業(yè)中采用最普遍的頻率覆蓋范圍。1100110010定向耦合器100GHz寬帶寬維持平整10dB耦合5G市場的無線設計和其他測試和檢測應用。
SOUTHWEST?顯現(xiàn)的信息表示兩個0.9毫米SuperMini9mil針射頻連接器采用1.85毫米插孔(F)到0.9毫米插頭(M)適配器背對背檢測,由于0.9毫米SuperMini接口校正要求不兼容。要獲取帶適配器的單獨射頻連接器的VSWR,需用取VSWR數(shù)據(jù)點的平方根,隨后將插入損耗數(shù)據(jù)點除以2。
MACOM?專注于增加低相位噪聲(>150dBc/Hz@1kHz放大器產品組合用作形成檢測、測量和防御中的重要信號。MACOM低相位噪聲放大器填補NLTLGaAs梳狀發(fā)生器系列產品。
Qorvo的CMD275是款寬帶GaAs MMIC低相噪聲放大器芯片特別適合國防軍事、航空航天和通訊系統(tǒng)。在10GHz時,CMD275提供16dB的增益值、20.5dBm飽和輸出功率和5.5dB噪聲系數(shù)。
Qorvo的CMD274?是款寬帶GaAs MMIC低相位噪聲放大器芯片,特別適合國防軍事、航空航天和通訊系統(tǒng)。在10ghz時,CMD274提供17dB的增益值,+22dBm的飽和輸出功率,3.2dB的噪音因子。
AMCOM的AM06013033MD-3H?是款寬帶砷化鎵功率放大器模塊,設計用作通用型應用領域。AM06013033MD-3H工作頻率從6GHz到13GHz,通常提供2瓦(33dBm)的連續(xù)波輸出功率和28dB的小信號增益值。
Custom MMIC的CMD247?是種寬帶(Ka,Q,U波段)GaAs MMIC低相位噪聲射頻/微波放大器(LPNA),特別適合國防軍事,航空航天和通訊系統(tǒng)。在35GHz時,CMD247提供了13dB的增益值,+15dBm的飽和輸出功率和5dB的噪音因子。
AMCOM的AM07512042MD-3H?是款用作通用型應用的寬帶GaN功率放大器模塊。AM07512042MD-3H微波功率放大器芯片輸出功率從7.5GHz到12GHz,通常提供15瓦(42dBm)的連續(xù)波輸出功率和28dB的小信號增益值。
SemiGen?射頻/微波固定衰減器焊盤具備精準的電阻膜和優(yōu)異的金屬性能和完整性。SemiGen的領先薄膜技術使SemiGen組件具備完整的SMT組裝側封裝和全面的接地反面,因為無需接地聯(lián)接,因此容易聯(lián)接。
CHA6362-QXG?是種3級單面砷化鎵大功率電源電路,可形成2.5瓦的輸出功率。CHA6362-QXG集成了功率探測器并容許增益控制。包含ESD維護。
?APITech?提供了多種不同的的Powerfilm?芯片終端。這些表面貼裝技術電阻器規(guī)定在終端和隔離器中損耗射頻功率。芯片會在BeO,氮化鋁,或碳化硅陶瓷上生產的薄或厚電阻器,依賴于所需要的規(guī)格型號。