MACOM的XP1017-BD?兩級30.0-36.0 GHz GaAs MMIC功率放大器針對線性操作進行了優化,三階交調截點為+33.0 dBm。該器件還包括Lange耦合器,以實現良好的輸入/輸出回波損耗和片上溫度補償輸出功率檢測器。
MAAP-015035是一款三級8.5 - 11.5 GHz GaAs pHEMT MMIC功率放大器,能夠實現41 dBm的飽和脈沖輸出功率和36dB的小信號增益??梢允褂弥苯訓艠O電壓或使用片上柵極偏置電路直接偏置功率放大器的柵極端子。
MAAP-015024三級14.5 - 17.5 GHz GaAs MMIC功率放大器的飽和脈沖輸出功率為39 dBm,信號增益小,為20 dB。功率放大器必須直接偏置在芯片的兩側。該MMIC采用MACOM的GaAs pHEMT器件技術,基于光學柵極光刻技術,確保高重復性和均勻性。
我們很高興地宣布,我們的標準化GaAs和GaN設計目錄已達到150多種器件。最新產品包括:超寬帶0.5W分布式驅動放大器,工作頻率為DC - 30 GHz,線性度高; 具有40 GHz選項的新型數字衰減器系列,覆蓋DC-18 GHz的寬帶開關,5位移相器,高IP3混頻器,低相位噪聲放大器(LPNA )以及業界領先的0.5 dB低噪聲放大器(LNA) )。
為任何RF設計師實現尺寸,重量,性能和成本(SWaP-C)目標都是一項挑戰。因此,對于設計師進入太空的額外距離,Custom MMIC提供了兩個可以減輕負載的簡報。
我們的在線易于使用的級聯分析計算器 允許您在系統中的每個組件的輸入或輸出規格之間進行選擇。該計算器旨在分析多達十個階段,提供了一種簡單而強大的方法來分析多組件系統的級聯增益,噪聲系數,壓縮點和線性度。
MACOM的E波段功率放大器MAAP-011106 E-Band功率放大器非常適合小型蜂窩無線回程基礎設施,可實現1 Gbps或更高的數據速率,以滿足不斷增長的數據需求,特別是在人口稠密的城域環境中。
MAAP-010516是一款封裝的線性功率放大器,工作頻率為12.7 - 13.3 GHz。該器件提供23 dB增益和42 dBm輸出三階截取點(OIP3),輸出為34 dBm P1dB。封裝放大器采用工業標準,完全模制的5 mm QFN封裝,由三級功率放大器和集成的溫度補償片上功率檢測器組成。
MAAM-011167是E波段中功率放大器裸片,工作頻率為71 - 86 GHz。放大器提供18 dB的小信號增益。輸入和輸出與50 O相匹配,鍵合線連接到外部電路板。
MAAM-011139是一款Ka波段驅動放大器,采用無鉛4 mm 24引腳PQFN塑料封裝,工作頻率為27.5 - 33.4 GHz。放大器提供21 dB的小信號增益。輸入和輸出內部匹配50歐姆,帶有片上隔直電容。
MAAM-011117為75歐姆客戶端設備(CPE)提供高增益,低噪聲和低失真放大。MAAM-011117具有省電功能,可將待機操作的總電流消耗降至4 mA以下。
MAAM37000-A1G(MAAM37000-A1)是一款寬帶,C波段低噪聲MMIC放大器,采用小型無鉛8引腳陶瓷封裝。它包括兩個集成增益級,并采用串聯電感反饋,以在整個頻段內獲得出色的噪聲系數和良好的50 O輸入和輸出阻抗匹配。
MAAM71200芯片是一款寬帶X波段低噪聲MMIC放大器。它包括兩個集成增益級,并采用串聯電感反饋,以在整個頻段內獲得出色的噪聲系數和良好的50 O輸入和輸出阻抗匹配。MAAM71200采用+4 V單電源供電。
寬帶X波段低噪聲GaAs MMIC放大器MAAM71200-H1,采用無引線陶瓷封裝。MAAM71200-H1是MAAM71200低噪聲MMIC放大器芯片的封裝版本。完全單片設計在50?無需外部組件。MAAM71200-H1非常適用于使用導線或帶狀連接進行互連的微帶組件。
毫米波點對點無線電Ka波段低噪聲放大器XL1000-BD,具有20 dB的小信號增益,整個頻段的噪聲系數為2 dB。該MMIC采用GaAs pHEMT器件模型技術,基于電子束光刻技術,確保高重復性和均勻性。
MACOM的三級平衡20.0-36.0 GHz GaAs MMIC K波段Ka波段低噪聲放大器具有23.0 dB的小信號增益,整個頻段的噪聲系數為2.6 dB。該MMIC采用MACOM的GaAs pHEMT器件模型技術,基于電子束光刻技術,確保高重復性和均勻性。
C波段XL1007-QT封裝3.5至8.0 GHz低噪聲放大器,采用表面貼裝3x3 QFN封裝。該器件采用自偏置單電源設計,具有12 dB增益和2 dB噪聲系數。該MMIC使用MACOM的光學pHEMT工藝。
K波段Ka波段低噪聲放大器XL1010-QT,具有17.0 dB的小信號增益,噪聲系數為3.0 dB。該器件采用符合RoHS標準的3x3mm QFN封裝,僅需一個正偏置電源。該器件采用MACOM的GaAs pHEMT器件模型技術,基于電子束光刻技術,確保高重復性和均勻性。
XL1010-BD低噪聲放大器Ka波段,三級20.0-38.0 GHz GaAs MMIC低噪聲放大器具有17.0 dB的小信號增益,噪聲系數為3.0 dB。該器件采用MACOM的GaAs pHEMT器件模型技術,基于電子束光刻技術,確保高重復性和均勻性。
MACOM的MSS40,000系列肖特基二極管采用N-Type外延襯底制造,采用專有工藝,可產生業內最高的FCO。每個二極管的LO功率為0 dBm至+6 dBm,可獲得最佳混頻器性能。
MAAM37000芯片C波段低噪聲MMIC放大器,它包括兩個集成增益級,采用串聯電感反饋,在整個頻段內獲得出色的噪聲系數和良好的50 O輸入和輸出阻抗匹配。
MAAM-011229是一款S波段低噪聲放大器L波段寬帶高動態范圍,單級MMIC LNA,采用無鉛2 mm 8引線PDFN塑料封裝。該放大器內部匹配,無需任何外部匹配元件即可提供平坦增益和3.25 GHz的出色回波損耗。
MACOM的MAALSS0048是一款高動態范圍,GaAs MMIC,低噪聲放大器,采用無鉛SOT-26微型表面貼裝塑料封裝。它采用外部輸入匹配,以獲得最佳噪聲系數性能和工作頻率靈活性。MAALSS0048還具有靈活的偏置功能,可控制電流消耗與動態范圍權衡。
MACOM的MAALSS0042是一款L波段高性能GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無鉛SOIC 8引腳表面貼裝塑料封裝。MAALSS0042采用單片3級自偏壓設計和簡單的外部匹配網絡,以獲得最小的噪聲系數。
MAAL-011141-DIE是一款易于使用的寬帶低噪聲分布式放大器芯片。它工作在DC至28 GHz,在8 GHz時提供17 dB的線性增益,16 dBm的P1dB和1.4 dB的噪聲系數。
MAAL-011141是一款易于使用的寬帶低噪聲分布式放大器芯片。它工作在DC至28 GHz,在8 GHz時提供17.5 dB的線性增益,16 dBm的P1dB和1.4 dB的噪聲系數。輸入和輸出完全匹配50Ω,典型回波損耗> 15 dB。該放大器采用有源終端電路,在頻率范圍的下端實現比使用傳統電阻終端技術更低的噪聲系數。
MAAL-011136是一款采用SOT-89塑料封裝的P波段RF低噪聲放大器。該放大器提供20 dB的平坦增益,同時偏置3至5伏。放大器提供出色的噪聲系數。MAAL-011136提供高增益,低噪聲和低失真特性,非常適合作為光纖到戶(FTTh)應用和其他75 O基礎設施應用的輸入級。
MAAL-011134是一款高動態范圍,單級MMIC LNA,采用無鉛2 mm 8-LD PDFN塑料封裝C波段低噪聲放大器。該放大器具有超低噪聲系數,高增益和出色的線性度。在50 V環境和3 V電壓下,該器件在2.4 GHz時的噪聲系數小于0.5 dB,增益為24 dB,OIP3為33 dBm。
MAAL-011130是一款易于使用的寬帶低噪聲放大器LNA,典型增益為19 dB,頻率范圍為2至18 GHz。輸入和輸出完全匹配50Ω,典型回波損耗> 10 dB。三階線性度(OIP3)通常為23 dBm,反向隔離度> 35 dB。使用引腳4和VDD之間的外部電阻RB實現單電壓(VDD從+3.3 V至+5 V)工作。
MAAL-011129是一款易于使用的三級K波段低噪聲放大器,具有高增益和寬帶50Ω匹配。它的設計工作頻率范圍為18至31.5 GHz,采用無鉛2x2 mm 8引腳PDFN塑料封裝。MAAL-011129具有集成的有源偏置電路和偏置三通,可以直接連接到VDD,無需外部扼流圈或DC模塊。