X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R,
S波段C波段X波段Ku波段K波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290,2-26 GHz(S,C,X,Ku,K波段)GaN低噪聲放大器MMIC,。該寬帶器件非常適合要求低噪聲系數性能和高輸入功率生存能力的應用。CMD290提供12.5 dB的增益,相應的噪聲系數為2.3 dB,13 GHz時的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm。
低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片,是一款高動態范圍GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于軍事,空間和通信系統,其中小尺寸和高線性度是關鍵設計要求。該器件針對21 GHz進行了優化,可提供超過24 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm,噪聲系數為1.3 dB。
C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R,其總柵極寬度為2.5mm(兩個1.25mm的FET并聯)。這是一個裸模,可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為40.5 dBm。
X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R,其總柵極寬度為10mm(八個1.25mm的FET并聯)。這是一個裸模,可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為46.1 dBm。
X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R,
X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R,其總柵極寬度為0.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達12 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝,具有彎曲(Bi-G)或直(BI)引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。
X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R,是一個離散的GaN/SiC HEMT,其總柵極寬度為1.25mm。它是在陶瓷BI封裝,運行高達10千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝,具有彎曲(Bi-G)或直(BI)引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。
C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R,是一個離散的GaN/SiC HEMT,其總柵極寬度為2.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達8 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝,具有彎曲(Bi-G)或直(BI)引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。
P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R,這個部分的總柵極寬度為10毫米。AM100WN-CU-R是專門為高功率微波應用設計的,工作頻率可達6GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝,具有直引線和插裝式法蘭。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這
S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz,這個部分的總柵極寬度是5mm。AM050WN-CU-R是為高功率微波應用而設計的,工作頻率可達6GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝,具有直引線和落地式法蘭。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。
軍用雷達系統Ka波段功率放大器模塊AM30040031SF-3H,
雷達X波段功率放大器模塊Ku波段功率放大器模塊AM08513241SF-3H,它是為通用的應用而設計的。它工作在8.5GHz到13.2GHz之間,通常為頻帶(9到11GHz)提供14瓦(41.5dBm)的連續波輸出功率,為頻帶(11.5到13GHz)提供8瓦(39dBm)的連續波輸出功率,具有25dB的小信號增益。
X波段功率放大器模塊AM07511242SF-3H,它是為通用的應用而設計的。它的工作從7.5GHz到112GHz,通常提供14瓦(41.5 dBm)的連續波輸出功率和22.5dB小信號增益。放大器模塊有6個螺栓槽用于安裝到散熱器,并使用單+12V至+15V電源操作。
S波段2級功率放大器模塊AM343635SF-2H,
S波段功率放大器雙向無線電AM324036SF-3H ,它的工作從3.2 GHz到4.2GHz,通常提供超過3.2瓦(35dBm)連續波輸出功率和29分貝小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。它可以偏置從12V到20V的單電壓供電。
寬帶無線接入S波段功率放大器模塊AM304031SF-3H,它的工作從2.6GHz到4.6GHz,通常提供超過1.25瓦(31 dBm)連續波輸出功率和29分貝小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。
AM273545SF-6H功率放大器模塊S波段功率放大器,用于無線互聯網接入、無線本地環路和雙向無線電。它的工作從2.7GHz到3.5GHz,通常提供超過30瓦(45 dBm)連續波輸出功率和50dB小信號增益。該模塊內置負電壓發生器。它可以偏置從+11V到+12V單電壓供電。
S波段寬帶高功率放大器模塊AM243638SF-4H,它的工作從2.4GHz到3.6GHz,通常提供超過7瓦(38 dBm)連續波輸出功率和37分貝小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。
ISM波段T/R模塊AM232537SF-2H,它工作從2.3GHz到2.5GHz,在發射側通常提供5瓦(37dBm)連續波輸出功率和22dB小信號增益,在接收側提供16dB增益,噪聲系數為1.5dB。該模塊具有內置的負電壓電源和保護開關。它可以偏置從+12V到+16V單電壓供電。
雙向無線電S波段功率放大器模塊AM204437SF-3H,它的工作從2GHz到4.4GHz,通常提供超過4瓦(36dBm)連續波輸出功率和30dB小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。它可以從12V單電源電壓偏置。
無線本地環S波段寬帶功率放大器AM183031SF-3H,它的工作從1.8GHz至3.4GHz,通常提供超過1.25瓦(31 dBm)連續波輸出功率和31分貝小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。它可以偏置從12V到20V的單電壓供電。放大器模塊具有用于安裝到散熱片的6個螺釘槽。
PCS基站L波段功率放大器AM141940SF-2H,它工作在1.4GHz到1.9GHz之間,通常提供超過5.5瓦(37.5dBm)的連續輸出功率和25dB的小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。它可以偏置從16V到20V的單電壓供電。
20W通信應用S波段寬帶功率放大器AM153042SF-4H,它工作在1300MHz到3400MHz之間,通常提供超過20瓦(43dBm)的連續輸出功率和36dB的小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。它可以偏置從15V到20V單電源。放大器模塊具有用于安裝到散熱片的8個螺釘孔。
儀器儀表S波段寬帶高功率放大器AM153040SF-4H,它工作從1500MHz到3000MHz,通常提供超過10瓦(40dBm)的連續輸出功率和40dB的小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。它可以偏置從15V到20V單電源。放大器模塊具有用于安裝到散熱片的8個螺釘孔。
L波段2級功率放大器AM131535SF-2H,它在1.35到1.52 GHz頻帶上具有3dB的增益和35dBm的輸出功率。
S波段寬帶功率放大器AM094233SF-3H,它的運行從0.9到4.2GHz,并提供最小P1dB的+31 dBm和最小的小信號增益為16dB。放大器在一個帶有SMA連接器的鋁外殼中。該單元具有RF輸出監控端口,并且配備有內置的反向偏置保護電路和零柵極電壓/漏極截止開關電路。
L波段超寬帶高功率放大器AM042644SF-3H,它工作在400兆赫至2600兆赫,通常提供超過20瓦(43dBm)連續波輸出功率和35dB小信號增益。
AM020331SF-2D高功率UHF波段功率放大器,它工作在225至300兆赫,并提供最小P1dB的+31 dBm和最小的小信號增益為20dB。該放大器是一個落入式封裝。
P波段功率放大器AM020336SF-4H,它的工作從175MHz到325MHz,通常提供7瓦(37.5dBm)連續波飽和功率和60dB小信號增益。它可以用于B類模式,以提高效率。該模塊具有內置的負電壓發生器。