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HMC702LP6CE小數N分頻頻率合成器 ADI現貨

2019-02-26 14:15:42

HMC702是一款SiGe BiCMOS小數N分頻頻率合成器。 該頻率合成器內置一個8GHz 16位RF N分頻器、一個24位Σ-Δ調制器、一個極低噪聲數字鑒頻鑒相器(PFD)和一個精密控制電荷泵。

HMC447LC3低噪聲4分頻再生分頻器 現貨

2019-02-26 14:07:37

HMC447LC3是一款低噪聲4分頻再生分頻器，采用InGaP GaAs HBT技術。 這款寬帶分頻器的工作輸入頻率為10到26 GHz，可接受極寬范圍的輸入功率水平。

HMC468ALP3E寬帶3位GaAs IC數字衰減器 現貨

2019-02-26 14:04:23

HMC468ALP3E是一款寬帶3位GaAs IC數字衰減器，采用低成本無引腳表面貼裝封裝。 在DC到6.0 GHz頻率下工作，插入損耗低于1 dB典型值，最高達到4 GHz。 衰減器位值為1 (LSB)、2和4 dB，總衰減為7 dB。

HMC587LC4B寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩器 現貨

2019-02-26 11:28:34

HMC587LC4B是一款寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩器，集成了諧振器、負電阻器件、變容二極管。 由于振蕩器的單芯片結構，其輸出功率和相位噪聲性能在不同的溫度下始終非常出色。

HMC561軍事x2有源寬帶倍頻器芯片 ADI現貨

2019-02-26 11:23:25

HMC561是一款采用GaAs pHEMT技術的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+5 dBm信號驅動時，該倍頻器在8至21 GHz范圍內提供+17 dBm的典型輸出功率，在16 GHz頻率下，Fo和3Fo隔離均為15 dBc。

HMC695LP4E有源微型x4倍頻器 現貨代理

2019-02-26 11:07:15

HMC695LP4E是一款利用InGaP GaAs HBT技術制造而成的有源微型x4倍頻器，采用4x4 mm無鉛表貼封裝。 在+5V電源電壓下，功率輸出為+7 dBm（典型值）且相對輸入功率、溫度和電源電壓變化很小。

HMC565LC5低噪聲放大器芯片 ADI現貨

2019-02-26 10:52:55

HMC565LC5是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，采用符合RoHS標準的無引腳5x5mm SMT封裝。 HMC565LC5工作頻率范圍為6至20 GHz，在整個工作頻段內具有21 dB小信號增益、2.5 dB噪聲系數和+20 dBm輸出IP3。

HMC746LC3C高速邏輯和數據路徑管理 現貨代理

2019-02-25 11:12:58

HMC746是一種AND / NAND / OR / NOR功能，旨在支持高達13 Gbps的數據傳輸速率和高達13 GHz的時鐘頻率。HMC746可以很容易地配置為提供以下任何邏輯功能：AND，NAND，OR和NOR。

HMC903LP3E軍事單片微波集成電路 現貨

2019-02-25 11:07:25

HMC903LP3E是一款自偏置砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC），假晶（pHEMT），低噪聲放大器（LNA），具有用于降低IDQ的選項偏置控制。它采用16引腳，3 mm×3 mm，LFCSP封裝。

HMC1082LP4E/HMC1082LP4ETR軍事電子戰驅動放大器 現貨

2019-02-25 10:48:33

HMC1082LP4E是一款GaAs pHEMT MMIC驅動放大器，集成了溫度補償片上功率檢測器，工作頻率范圍為5.5至18 GHz。該放大器在1 dB增益壓縮下提供22 dB增益，+ 35 dBm輸出IP3和+24 dBm輸出功率，而+ 5V電源則需要220 mA。

HMC442點對點無線電功率放大器芯片17.5-25.5GHz 代理現貨

2019-02-25 10:38:50

HMC442是一款高效的GaAs PHEMT MMIC中功率放大器，工作頻率范圍為17.5至25.5 GHz。HMC442在+ 5V電源電壓下提供15 dB增益，+ 23 dBm飽和功率和25％PAE。由于尺寸小，放大器芯片可以輕松集成到多芯片模塊（MCM）中。

CMPA801B025F高效25W功率放大器6-12 GHz 現貨

2019-02-22 15:56:21

CMPA601C025F GaN HEMT MMIC放大器提供25瓦的功率，瞬時帶寬為6至12 GHz。GaN HEMT MMIC采用耐熱增強型10引腳陶瓷封裝。這款器件采用50歐姆的小尺寸封裝，可提供高功率6至12 GHz高效放大器。

CMPA601C025F高效25W功率放大器 現貨

2019-02-22 15:52:54

CMPA601C025F GaN HEMT MMIC放大器提供25瓦的功率，瞬時帶寬為6至12 GHz。GaN HEMT MMIC采用耐熱增強型10引腳陶瓷封裝。這款器件采用50歐姆的小尺寸封裝，可提供高功率6至12 GHz高效放大器。

CGHV14800F高電子遷移率晶體管L波段雷達系統 現貨

2019-02-22 15:36:39

Wolfspeed的CGHV14800是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專門設計用于高效率，高增益和寬帶寬功能，這使得CGHV14800成為1.2 - 1.4 GHz L波段雷達放大器應用的理想選擇。

CMPA0060002F功率放大器芯片2W 現貨

2019-02-22 15:26:12

Wolfspeed的CMPA0060002F是一種基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優異的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱率。

CGH40006S射頻微波6W高電子遷移率晶體管 現貨

2019-02-22 15:13:23

Wolfspeed的CGH40006S是一款無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。CGH40006S采用28伏軌道，為各種射頻和微波應用提供通用寬帶解決方案。

CGHV1J006D高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管 現貨

2019-02-22 14:16:56

Wolfspeed的CGHV1J006D是一種采用0.25μm柵極長度制造工藝的碳化硅襯底上的高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN-on-SiC產品具有出色的高頻，高效特性。

CGH35240F氮化鎵240W高電子遷移率晶體管 CREE現貨

2019-02-22 14:02:50

Wolfspeed的CGH35240F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專門設計用于高效率，高增益和寬帶寬功能，使CGH35240F成為3.1 - 3.5 GHz，S波段的理想選擇，雷達放大器應用。

CGHV31500F高增益S波段雷達系統晶體管500W 代理現貨

2019-02-22 13:52:53

Wolfspeed的CGHV31500F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專門設計用于高效率，高增益和寬帶寬功能，使CGHV31500F成為2.7 - 3.1 GHz s波段雷達的理想選擇 - 放大器應用。

CGH40010寬帶10W射頻功率GaN HEMT 現貨

2019-02-22 13:48:12

Wolfspeed的CGH40010是一款無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。CGH40010采用28伏軌道，為各種射頻和微波應用提供通用寬帶解決方案。GaN HEMT具有高效率，高增益和寬帶寬能力，使CGH40010成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。

CMPA2560025F高效率S波段雷達系統電子遷移率晶體管 現貨

2019-02-22 11:39:53

Wolfspeed的CGHV35400F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計，使CGHV35400F成為2.9 - 3.5 GHz，S波段的理想選擇，雷達放大器應用。晶體管采用440210型陶瓷/金屬法蘭封裝。

CGHV35400F氮化鎵400W高電子遷移率晶體管 現貨

2019-02-22 11:34:52

Wolfspeed的CGHV35400F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計，使CGHV35400F成為2.9 - 3.5 GHz，S波段的理想選擇，雷達放大器應用。晶體管采用440210型陶瓷/金屬法蘭封裝。

CGH40035F高電子遷移率晶體管（HEMT） 代理現貨

2019-02-22 11:30:11

Wolfspeed的CGH40035F是一款無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。CGH40035F采用28伏軌道，為各種射頻和微波應用提供通用的寬帶解決方案。

CGHV96100F2高功率100W功率放大器 CREE現貨

2019-02-22 10:24:49

Wolfspeed的CGHV96100F2是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與其他技術相比，這種GaN內部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。

CGHV96050F2碳化硅高電子遷移率晶體管 代理現貨

2019-02-22 10:22:17

Wolfspeed的CGHV96050F2是碳化硅（SiC）基板上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與其他技術相比，這種GaN內部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。

CMD194C3寬帶K波段低噪聲放大器芯片 代理現貨

2019-02-22 09:21:37

CMD194C3是一款寬帶K波段GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝（SMT）封裝。CMD194C3非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。

MKHS-02L0-400-275-2620直角PCB連接器 Airborn現貨

2019-02-21 15:37:31

MKHS-02L0-400-275-2620直角PCB連接器，模塊化直角母面板安裝連接器，可在2排配置中實現各種quadrax和信號模塊組合。

MKHS-02L0-100-175-2810直角表面貼裝PCB連接器 現貨

2019-02-21 15:33:56

MKHS-02L0-100-175-2810模塊化公頭直角表面板安裝連接器，允許在2排配置中使用各種quadrax和信號模塊組合。插頭，2排，高速模塊：1-10，信號觸點：0-50。

RM212-060-102-5500帶安裝耳鍍通孔PCB連接器 現貨

2019-02-21 11:28:52

RM212-060-102-5500一系列公頭PCB安裝連接器，兩排觸點間距為0.075“。這些連接器具有垂直安裝方向，并安裝在PCB的電鍍通孔上。這些連接器具有安裝耳，用于將連接器固定到電路板上。

RM222-060-202-5500帶安裝耳的直插座直鍍通孔PCB連接器 現貨

2019-02-21 11:16:01

RM222-060-202-5500一系列母頭PCB安裝連接器，兩排觸點間距為0.075“。這些連接器具有垂直安裝方向，并安裝在PCB的電鍍通孔上。這些連接器具有安裝耳，用于將連接器固定到電路板上。