Wolfspeed的CGHV35400F是一種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計,使CGHV35400F成為2.9 - 3.5 GHz,S波段的理想選擇,雷達放大器應用。晶體管采用440210型陶瓷/金屬法蘭封裝。
Wolfspeed的CGH40035F是一款無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGH40035F采用28伏軌道,為各種射頻和微波應用提供通用的寬帶解決方案。
Wolfspeed的CGHV96100F2是碳化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其他技術相比,這種GaN內部匹配(IM)FET具有出色的功率附加效率。
Wolfspeed的CGHV96050F2是碳化硅(SiC)基板上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其他技術相比,這種GaN內部匹配(IM)FET具有出色的功率附加效率。
CMD194C3是一款寬帶K波段GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD194C3非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。
MKHS-02L0-400-275-2620直角PCB連接器,模塊化直角母面板安裝連接器,可在2排配置中實現各種quadrax和信號模塊組合。
MKHS-02L0-100-175-2810模塊化公頭直角表面板安裝連接器,允許在2排配置中使用各種quadrax和信號模塊組合。插頭,2排,高速模塊:1-10,信號觸點:0-50。
RM212-060-102-5500一系列公頭PCB安裝連接器,兩排觸點間距為0.075“。這些連接器具有垂直安裝方向,并安裝在PCB的電鍍通孔上。這些連接器具有安裝耳,用于將連接器固定到電路板上。
RM222-060-202-5500一系列母頭PCB安裝連接器,兩排觸點間距為0.075“。這些連接器具有垂直安裝方向,并安裝在PCB的電鍍通孔上。這些連接器具有安裝耳,用于將連接器固定到電路板上。
MQHT-212-009-161-41ZG高溫電纜連接器,一系列高溫薄型公電纜連接器,有2排和3排觸點,間距為0.050“。它們的尺寸范圍為9至51觸點。
MSHT-262-009-433-220S高溫直角鍍通孔(PTH),一系列高溫母PCB安裝連接器,有2排和3排觸點,間距為0.050“。這些連接器具有直角方向,薄型,并使用較小的占位面積安裝到PCB的電鍍通孔。可提供9到51個觸點的尺寸。
MQHT-212-015-161-41ZG高溫薄型電纜連接器,一系列高溫薄型公電纜連接器,有2排和3排觸點,間距為0.050“。它們的尺寸范圍為9至51觸點。
MSHT-262-015-433-220S高溫直角鍍通孔PCB連接器,一系列高溫母PCB安裝連接器,有2排和3排觸點,間距為0.050“。這些連接器具有直角方向,薄型,并使用較小的占位面積安裝到PCB的電鍍通孔。可提供9到51個觸點的尺寸。
RM212-080-102-5500通孔PCB連接器一系列公頭PCB安裝連接器,兩排觸點間距為0.075“。這些連接器具有垂直安裝方向,并安裝在PCB的電鍍通孔上。這些連接器具有安裝耳,用于將連接器固定到電路板上。
RM222-080-202-5500直鍍通孔PCB連接器,一系列母頭PCB安裝連接器,兩排觸點間距為0.075“。這些連接器具有垂直安裝方向,并安裝在PCB的電鍍通孔上。這些連接器具有安裝耳,用于將連接器固定到電路板上??商峁?0到100個觸點的尺寸。
Airborn的MM-2C2-009-261-29WA后面板安裝電纜連接器,一系列后面板安裝電纜連接器,具有界面密封和0.050“的接觸間距。它們的尺寸范圍為9到100觸點。
airborn的MM-212-009-161-41WQ金屬電纜連接器,一系列公頭金屬連接器,有兩排,三排和四排觸點,間距為0.050“。這些連接器有焊杯,壓接線和尾纖端接類型。它們的尺寸范圍為9到51觸點。
HMC462是一款GaAs MMIC PHEMT低噪聲分布式放大器裸片,工作頻率范圍為2至20 GHz。 該放大器提供15 dB增益、2.0至2.5 dB噪聲系數和+15 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),采用+5V單電源時功耗僅為63 mA。
HMC435AMS8GE是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT開關,采用低成本8引腳MSOP8G表面貼裝封裝,帶有裸露接地焊盤。 該開關非常適合蜂窩/3G和WiMAX/4G應用,實現高達60 dB的隔離、0.8 dB的低插入損耗和+50 dBm的輸入IP3。
HMC847LC5是一款4:1多路復用器,設計用于45 Gbps數據串行應用。 多路復用器在輸入時鐘的轉換點鎖存四個差分輸入。 該器件使用半速率時鐘的上升沿和下降沿來串行傳輸數據。
ADF4159WCCPZ是一款具有調制、以及快速和慢速波形產生能力的13 GHz小數N分頻頻率合成器, 該器件使用25位固定模數,提供次赫茲頻率分辨率。
AD9680BCPZ-1000是一款雙通道、14位、1 GSPS模數轉換器(ADC)。 該器件內置片內緩沖器和采樣保持電路,專門針對低功耗、小尺寸和易用性而設計。 該器件設計用于高達2 GHz的寬帶模擬信號采樣。
HMC-AUH256是一款GaAs MMIC HEMT四級驅動放大器,工作頻率范圍17.5至41 GHz。 由于尺寸較小(1.93 mm2),該芯片可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 HMC-AUH256在1 dB壓縮點提供21 dB的增益和+20 dBm的輸出功率,使用+5V的偏置電源(295 mA)。
HMC313E是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC放大器,采用Vcc單電源工作。 表面貼裝SOT26放大器可用作寬帶增益級,或用于針對窄帶應用優化的外部匹配。
AMCOM公司的AM07512041WN-SN-R/AM07512041WN-00-R芯片是一款寬帶氮化鎵MMIC功率放大器。它在8.25至11.75GHz頻段具有28dB的增益和42dBm的輸出功率。AM7512041WN-SN-R采用陶瓷封裝,帶有法蘭和直射頻和直流引線,用于插入式組裝。它的增益為27db,輸出功率為41dbm,在8.25至11.75GHz頻段。
AMCOM的AM005WN-BI-R是一個分立的GaN/SiC HEMT,總門寬為0.5毫米。它是一個陶瓷封裝,最高工作12千兆赫。Bi系列采用特殊設計的陶瓷封裝,帶有彎曲(Bi-G)或直(Bi)引線,采用嵌入式安裝方式。
AMCOM的AM07511542WM是一種寬帶砷化鎵MMIC功率放大器。它具有25dB的小信號增益,在8V偏壓和5%脈沖操作下,在8至11GHz波段輸出功率為42dBm。由于直流功耗高,我們強烈建議將共晶連接的裸芯片設備直接安裝在銅散熱片上。在脈沖條件下,當共晶鍵合沒有空隙時,可以在8V直流偏壓下工作。
AMCOM的AM030WH2-BI-R是GAAS高保真音響的BI系列的一部分。HIFET是部分匹配的專利設備配置,適用于高壓、大功率和寬帶應用。該部分的總設備外圍為6毫米(2個3毫米FET串聯)。AM030WH2-BI-R是為高功率微波應用而設計的,工作頻率高達12GHz。它也是大功率設備的理想驅動程序。
AMCOM的AM002535MM-BM-R是GAAS MMIC功率放大器系列的一部分。它有24分貝的增益,34分貝的輸出功率在大部分0.03至2.5千兆赫波段。該MMIC位于陶瓷封裝中,射頻和直流引線位于封裝底部,以便于將低成本SMT組裝到PC板上。
AMCOM的AM13714530WM-SM-R是GAAS MMIC功率放大器系列的一部分,工作在13.75至14.5GHz頻段。它有超過30分貝的增益和30分貝的輸出功率。放大器封裝在帶射頻和直流連接的嵌入式陶瓷封裝中。